mosfet专题
屹晶微EG3002 单通道功率MOSFET驱动芯片 贴片SOP8
EG3002作为一款功率MOSFET驱动芯片，它的应用领域主要取决于其技术参数和性能特点。根据之前提供的信息，EG3002可能适用于以下领域： 1. 电源管理：用于高效率电源转换器，如开关电源（SMPS）、电池充电器、适配器等。 2. 电机控制：可用于控制直流电机、交流电机和步进电机，适用于家电、工业控制系统等。 3. 开关调节器：在需要快速开关调节的场合，EG3002可以驱动高电流MO
具有P柱中N点区域的超结MOSFET，用于软恢复
来源：Superjunction MOSFET with an N-dot region in the P-pillar for Soft Reverse Recovery（ISPSD 24年） 摘要 在本文中，提出了一种新型的具有P柱中N点区域的超结MOSFET，并进行了实验研究。利用硼和砷扩散速率的差异，通过在P柱注入后植入等剂量的砷和硼，自然形成了N点区域。因此，N柱和P柱之间的电荷平衡
功率 MOSFET、其电气特性定义
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 额定值 导通电阻R_DS(on)与耐压V_DSS的关系 图2表示耐压VDSS=20～100V额定元件与导通电阻R_DS(on)之间的关系。选择元件耐压时，应根据电路工作条件电源电压VDD和关断时产生的浪涌电压V_DS(
IRFB3207PBF TO-220 N沟道75V/180A 直插MOSFET场效应管
英飞凌（Infineon）的 IRFB3207PBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于多种电子设备和系统中的高侧开关应用。以下是 IRFB3207PBF 的一些典型应用场景： 1. 电源管理：在电源管理系统中，IRFB3207PBF 可以作为开关元件，用于直流到直流转换器、稳压器以及电源通路管理。 2. 电机控制：在电机驱动电路中，IRFB3207PBF 用于控制电动机的转速
一种基于电场连续性的高压MOSFET紧凑模型，用于精确表征电容特性
来源：A Compact Model of High-Voltage MOSFET Based on Electric Field Continuity for Accurate Characterization of Capacitance（TED 24年） 摘要 本文提出了一种新的高压MOSFET（HV MOS）紧凑模型，以消除现有模型中过高电容峰值的问题。与现有的改进电容模型方法相比，所
浅谈SiC MOSFET之MOSFET
1.掺杂后的半导体 P型半导体，多子是空穴，少子是自由电子。 N型半导体，多子是自由电子，少子是空穴。 2.电中性 尽管他们分别有着空穴带正电，自由电子带负电，但是整体上是电中性的。 以P型半导体为例，尽管局部区域有由于空穴形成而产生的正电荷，但整个晶格的电子总数和原子核的电荷总是保持平衡，从而保持了整个材料的电中性。尽管是电子在移动，但在电流的方向上，空
MOSFET场效应管栅极驱动电流的计算
MOSFET驱动 MOSFET场效应管是电压驱动器件，输入有电容，因此为可靠驱动MOSFET，栅极需要施加较大的驱动电流。 功率MOSFET开关模型 该模型显示了影响开关性能的最重要的寄生器件。 图1 MOSFET开通过程 MOSFET场效应管的开通动作可分为如下图所示的4个阶段。 图2 栅极所需驱动电流计算公式 一个很重要的参数是计算栅极驱动电流必须的：Qg Ig=Qg/t 或
模拟集成电路(2)----MOSFET大小信号分析，二级效应
模拟集成电路(2)----MOSFET大小信号分析，二级效应 文章目录 模拟集成电路(2)----MOSFET大小信号分析，二级效应MOS的结构及符号大信号特性Turn-on process for an NMOS耗尽区反形层形成 I-V特性推导三极管区 ( V D S ≤ V G S − V T H ) (V_{DS}\le V_{GS}-V_{TH}) (VDS≤VGS−VTH)
上海雷卯MOSFET测试仪，实力助阵，放心使用
上海雷卯实验室添新设备---MOSFET测试仪。 MOSFET是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，MOSFET通过控制栅极电压来控制器件的导通与截止状态，具有高输入阻抗、低功耗、高频特性等优点。在电子领域中，MOSFET广泛应用于放大电路、开关电路、功率放大器、数字逻辑电路等各种电路中。由于其优异的性能和可靠性，MOSFET在现代电子设备和电路设计中扮演着重要角色。 上海雷卯能供应各种封装各种
MOSFET沟道夹断效应及其对载流子传输的影响
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于数字和模拟电路中。在某些情况下，即使MOSFET的沟道被夹断（也称为沟道凹陷或沟道夹断效应），它仍然能够将恒定的载流子（电子或空穴）发送到电路中。这种现象对于理解MOSFET的高级行为和设计高性能电路至关重要。以下是一篇专业文章，详细解读了这一现象。 本文深入探讨了MOSFET在沟道夹断状态下的载流子传输机制
元器件参数测试仪 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......
DCT1401 元器件参数测试仪 DCT1401元器件参数测试仪能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”、“三极管类（如BJT、MOSFET、
半导体功率器件静态参数测试仪系统 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......
DCT1401 半导体功率器件静态参数测试仪系统 DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极
功率器件测试仪系统 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......
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分立器件参数测试仪系统 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......
DCT1401 分立器件参数测试仪系统 DCT1401分立器件参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MO
分立器件测试仪系统Si.SiC.GaN 材料 IGBT.Mosfet.Diode.BJT......
DCT1401 分立器件测试仪系统 DCT1401分立器件测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET
（负载点电源）PCD3203高转换率同步降压40V/3A内置高低侧MOSFET只需极少外围元件
1. 产品特性 ➢ 输入电压范围： 4.5V~40V ➢ 最大负载： 3A ➢ 上下管导通电阻： 110mΩ/70mΩ ➢ 软启保护时间 tss： 1ms ➢ 工作频率范围： 500kHz~2.5MHz ➢ 逐周期峰值电流限制 ➢ 内部补偿 ➢ 可调的输入欠压锁定 ➢ 短路保护，过温保护 2. 功能描述 PCD3203是一款具有高转换效率的同步降压转换器。输出负载能达到3A。
具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V)， 这些产品非常适合驱动以24V 、36V 、48V级电源 供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。 添加图片注释，不超过 140 字（可选） 近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫
【电路笔记】-MOSFET作为开关
MOSFET 作为开关 文章目录 MOSFET 作为开关1、概述2、MOSFET特性曲线2.1 截住区域2.2 饱和区域 3、MOSFET作为开关的示例4、功率MOSFET电机控制5、P沟道MOSFET作为开关6、互补MOSFET作为开关电机控制器 当 MOSFET 在截止区和饱和区之间工作时，MOSFET 是非常好的电子开关，用于控制负载和 CMOS 数字电路。 1、概述
NVMFS5A160PLZT1G汽车级功率MOSFET P沟道60 V 15A 满足AEC-Q101标准
关于汽车电子AEC Q101车规认证？ 是一种针对分立半导体的可靠性测试认证程序，由汽车电子协会发布。这个认证程序主要是为了确保汽车电子产品在各种严苛的条件下能够正常工作和可靠运行。它包括了对分立半导体的可靠性、环境适应性、温度循环和湿度变化等方面的测试要求。 AEC Q101是汽车电子领域的一个产品认证标准，它主要适用于功率MOS管和其他相关的汽车电子元件。在将车载用电子元件的可靠性与认定标
冠禹半导体KS3415AA单 P沟道高级功率 MOSFET解决方案！
Features -20V/-4.5A, Ros（ON）=32mQ 仃 ypJ@VGS=-4.5V Rds（on）=42mQ 仃 “.[©VgshJ.SV Rds（ON）=53mO 仃 yP・）@VGs"・8V Low Rds（on） Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected （HBM>4000V）
沟槽MOSFET系列：KS0320UA2单P沟道功率 MOSFET中文资料及选型方案！
特征 特点·-16V/-12A, Rps (on) =10mQ(Typ.)@Ves=-4.5V Ros (on) =14mQ(Typ.)@Vcs=-2.5V 低罗斯（开） 超高密度电池 设计 - 可靠且坚固 应用 负载开关 • PWM 应用 • 能源管理 阅读我的更多文章 常用电子元器件应用要点及识别方法，知识点很专业！大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原
AOS万代AON6590 40v n沟道MOSFET中文资料及电路原理图
一般说明： 沟槽功率中压 MOSFET 技术 低RDS(ON) 低栅极电荷 针对快速切换应用进行了优化 符合 RoHS 和无卤素标准 产品应用： DC/DC 和 AC/DC 转换器中的同步整流 电信和工业中的隔离式 DC/DC 转换器 产品概要： VDS 40v ID（在 VGS=10V 时） 100A RDS(ON) (VGS=10V) < 0.99mΩ
[XS2123] 集成功率 MOSFET V1.0， IEEE 802.3af 兼容的 PD 和 DC/DC 控制器
[XS2123] 集成功率 MOSFET V1.0， IEEE 802.3af 兼容的 PD 和 DC/DC 控制器 概述 XS2123 是一款基于 IEEE 802.3af 标准 PD 和DC/DC 集成的控制器。 该芯片的 PD 控制器部分为用电设备（PD）提供符合以太网供电（PoE）系统的检测信号、分级信号以及带有浪涌电流控制的集成隔离功率MOSFET。集成隔离
XS2100S：IEEE 802.3af/at 兼容、用电设备接口控制器，集成功率MOSFET V1.0.3
XS2100S：IEEE 802.3af/at 兼容、用电设备接口控制器，集成功率MOSFET V1.0.3 北京冠宇铭通 肖小姐 概述 XS2100S 为用电设备 (PD) 提供符合以太网供电 (PoE)系统 IEEE802.3af/at 标准的完整接口。 XS2100S 为 PD 提供检测信号、分级信号以及带有浪涌电流控制的集成隔离功率开关。发生浪涌
发力新基建，WAYON维安推出国内“最酷”MOSFET
受益于国家对新基建项目的重视，新能源电动汽车充电桩和5G基站建设速度迅猛。应新能源汽车续航里程提升和快速充电的要求，充电桩的功率已高达120KW到180KW。同样，5G领域也很讲求功率的高效性，5G基站单站满载功率近3700W，约为4G基站的2.5~3.5倍，电费亦会随之攀升至3G、4G的4~5倍之大。面对这些用电大户，耗电问题将是5G时代运营商无法回避的问题。降低能耗，提升电源效率，是选择功