本文主要是介绍FET场效应管的相关知识-MOSFET，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
我们学习下场效应管，如图所示按照结构，场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管(MOSFET).按照电学特性MOSFET又分为耗尽型与增强型，再细分为N沟道型与P沟道型。
1.NMOS与PMOS的示意图如下
2.常用手册中示意图如下：
3.P管和N管辨别
4.P管和N管的导通方向
5.P管和N管的使用条件
6.MOS管驱动器
可以看到MOS管的控制端一般需要一个较高的电平，我们常用的控制类IC都是3.3/5V电平，无法充分的将MOS管打开，我们看下面参数，不同的Vgs压差会影响Rds内阻，也就是说Vgs压差越大，内阻越小，功耗越低。
要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流，并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10～15V)，如果用普通控制芯片或单片机直接驱动，输出电流不够，输出电压也没有这么高，所以需要驱动器。
如下图为一款mos管驱动器，我们可以看到他可以有6A的电流输出能力，宽工作电压4.5V-18V.
通过上面一些不完全的知识，我们就大概能够使用MOS管了。不完全的地方后面继续补充。
这篇关于FET场效应管的相关知识-MOSFET的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！
