fet专题
FET场效应管的相关知识-MOSFET
我们学习下场效应管，如图所示按照结构，场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管(MOSFET).按照电学特性MOSFET又分为耗尽型与增强型，再细分为N沟道型与P沟道型。 1.NMOS与PMOS的示意图如下 2.常用手册中示意图如下： 3.P管和N管辨别 4.P管和N管的导通方向 5.P管和N管的使用条件 6.MOS管驱动器 可以看到MOS管的控制端一般需要一个较高
0502 构成分析设计MOS管放大电路与FET异同点
构成&分析&设计MOS管放大电路&与FET有何异同点 MOSFET需具备什么样的条件才能正常放大信号？如何构成MOSFET放大电路如何分析和设计MOSFET放大电路1.图解分析 2.直流偏置及静态工作点的计算3.小信号模型分
AS179-92LF pHEMT GaAs FET单刀双掷（SPDT）开关SKYWORKS
AS179-92，AS179-92LF： PHEMT GAAS IC SPDT开关300 KHz-3 GHz 该AS179-92是一种低成本的IC FET SPDT开关miniatureSC-706引线塑料package. The AS179-92特征低插入损耗和具有非常低的DCpower consumption.This通用开关正电压操作可以用来在各种电信。 应用 FAE: 1372371
NCP361SNT1G 带内部 PMOS FET 和过电流保护 USB 正向 过电压保护电路
NCP361SNT1G能够在检测到错误 VBUS 运行情况时将系统从其输出引脚断开。该系统受高达 +20 V 的正向过电压保护。由于集成的 PMOS FET，无需外部器件，降低了系统成本和应用主板中的 PCB 面积。如果输入电压超过过电压阈值 (OVLO)，NCP361 则能够瞬变将输出与输入断开。由于过电流保护，当充电电流超过电流限值时，集成的 PMOS 将关断。提供了负向标志 (FLAG) 输
一种确定FET小信号等效电路的新方法
来源：A New Method for Determining the FET Small-Signal Equivalent Circuit（88年 TMTT） 摘要 - 提出了一种确定FET（场效应晶体管）小信号等效电路的新方法。该方法包括在低频段直接测定器件的外在和内在小信号参数。这种方法快速且精确，所确定的等效电路能够很好地拟合S参数直至26.5 GHz的频率范围。 文章的研究内容
宽输入、高输出电流的非隔离降压转换器的设计使用伊根FET
设计和建造具有宽输入电压范围和高输出电流的隔离降压型DC/DC转换器，在标准5 V输出端使用硅MOSFET可以实现，但性能有限，尤其是在低负载和高输入电压下。更重要的是，随着硅的成熟，在输入电压高的情况下，在轻负载下，从宽输入降压型DC/DC转换器中榨取更多的汁液是具有挑战性的。与硅MOSFET，增强型氮化镓基场效应晶体管(Egan)承诺过的输入和输出参数的一组相同宽的负载提供更好的
【转】鳍式FET的来龙去脉详解
如果您一直在关注有关半导体工艺技术的最新消息，那么您或许已经了解到全球最尖端代工厂将生产采用FinFET新型晶体管结构作为基本芯片构建块的器件了。这些待产的芯片将采用统称为16/14nm的工艺节点。不过您或许要问，FinFET到底是什么？与标准晶体管有什么不同？会带来什么样的优势和挑战？ 半导体制造技术的一项关键发明、当今2，920亿美元市值的半导体产业得以存在的一个关键因素就是Jean Hoe
【转】FET场效应晶体管扫盲
一、 什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写，称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。 场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成了漏极电流。只涉及 到一种载流子的漂移作用，所以也叫单极性晶体管。 FET有三个电极分别是栅极（ Gate ）、源极（ Source ）和漏极（ Drain
【转】什么是场效应管（FET）-场效应管（FET）分类、原理、用途等知识详解
什么是场效应管（FET）-场效应管（FET）分类、原理、用途等知识详解 场效应管和双极晶体管不同，它属于仅以电子或空穴中的一种载子动作的晶体管。按照结构、原理可以分为：1、接合型场效应管 2、MOS型场效应管 （一）场效应管（FET）-接合型场效应管（结型FET） 1、原理 N通道接合型场效应管如图所示，以P型半导体的栅极从两侧夹住N型半导体的结构。将PN接合面上外加反向电压时所产生的空乏
Transphorm推出第四代GaN平台及SuperGaN™功率FET
戈利塔，加利福尼亚州--(美国商业资讯)--设计和制造高可靠性、并率先获得JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓（GaN）功率半导体器件的领先公司Transphorm，Inc.今天宣布推出其第四代GaN平台。与前几代GaN技术相比，Transphorm的新一代技术在性能、可设计性和成本方面都有显着进步。Transphorm今日还宣布，其第四代及以后的平台都将相应地被称为Sup
LTSpice仿真场效应管(FET)的方法
刚开始用LTSpice学习电子电路，发现添加 JFET 和 MOSFET 的方法与添加普通原件不一样，需要分两步完成。 第一步：选择元件 njf、pjf、nmos、pmos，分别对应 N Channel 的 JFET 和 P Channel 的 JFET；N Channel 的 MOSFET 和 P Channel 的 MOSFET。 第二步：右键单击 FET 元件，选择具体的元件型号。 下
PC9095高性能可调限流OVP过压过流保护 软启动 抗浪涌 集成功率FET开关
特点 •输入电压范围： •PC9095A、PC9095KA:2.5伏~13.5伏 •PC9095B，PC9095KB:2.5伏~10伏 •PC9095C，PC9095KC:2.5伏~5.5伏 •28V绝对最大额定电压VOUT •带外部电阻器的可调限流器 •集成功率FET开关，53mΩRds（开）@5V/1A •内置软启动，防止浪涌电流 •保护 •超温保护（OTP） •过电压保
工业应用新典范，飞凌嵌入式FET-D9360-C核心板发布！
来源：飞凌嵌入式官网 当前新一轮科技革命和产业变革突飞猛进，工业领域对高性能、高可靠性、高稳定性的计算需求也在日益增长。为了更好地满足这一需求，飞凌嵌入式与芯驰科技（SemiDrive）强强联合，基于芯驰D9-Pro高性能国产工业处理器共同推出FET-D9360-C核心板！ 1、FET-D9360-C核心板，超强性能，灵活配置 FET-D9360-C核心板基于芯驰D9-Pro高性