浅谈SiC MOSFET之MOSFET

2024-05-13 02:44

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本文主要是介绍浅谈SiC MOSFET之MOSFET，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

1.掺杂后的半导体

P型半导体，多子是空穴，少子是自由电子。

N型半导体，多子是自由电子，少子是空穴。

2.电中性

尽管他们分别有着空穴带正电，自由电子带负电，但是整体上是电中性的。

以P型半导体为例，尽管局部区域有由于空穴形成而产生的正电荷，但整个晶格的电子总数和原子核的电荷总是保持平衡，从而保持了整个材料的电中性。尽管是电子在移动，但在电流的方向上，空穴的移动似乎是传递正电荷。

3.不同的结构

3.1.横向型

3.2.纵向型

3.3沟槽栅

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http://www.chinasem.cn/article/984465。 23002807@qq.com

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