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华芯邦碳化硅SIC MOSFET性能卓越应用在新能源汽车充电领域，更在其高达235°C的环境中依然保持坚韧，175度的高温下依然能够稳定工作，不会因过热而失效
碳化硅功率器件市场预计在2028年达到90亿美元，展望十分广阔。MOS管因其低开关损耗、高开关速度，以及卓越的热稳定性，而广泛应用于高频开关场合。在新能源汽车充电机中，MOS管起着控制充电电流的关键作用。深圳市华芯邦科技有限公司提供多款高压MOSFET产品和碳化硅功率模块，这些器件以其高可靠性和稳定性，充分满足新能源汽车充电设备的需求。碳化硅MOSFET虽然与高压MOSFET在高压条件下工作相似，
华芯邦获AEC-Q车规级系列认证与AQG324认证的双重背书，碳化硅SiC-MOSFET半导体功率器件器件已在重点头部新能源汽车厂商模块验证中。
在获得AEC-Q车规级系列认证与AQG324认证的双重背书后，华芯邦的碳化硅SiC-MOSFET器件不仅巩固了其在新能源汽车领域的领先地位，更进一步加速了其在全球汽车供应链中的深度布局。这款车规级产品凭借其卓越的耐高温、低导通电阻及高开关频率等特性，成功吸引了更多国际知名新能源汽车制造商的关注与合作意向。 随着环保意识的增强和新能源汽车市场的持续扩张，深圳市华芯邦科技有限公司深知技术创新与品质保证
SiC晶圆市场步入价格调整期：技术革新与产能扩张共促成本降低，加速下游应用拓展
近期硅碳（SiC）晶圆市场传出了降价的风声，似乎一场价格战即将拉开序幕。那么，当前SiC晶圆市场的实际情况如何呢？ 供应链中多数企业普遍认同SiC晶圆价格确实在下滑。环球晶圆董事长徐秀兰公开表示，全球6英寸SiC晶圆产能的释放，加上电动车需求暂时减缓，使得2024年SiC晶圆价格面临下行压力。而另一方面，SiC晶圆制造商三安集成在5月9日的投资者关系报告中指出了价格下降的两大内部原因：技术创新和
浅谈SiC MOSFET之MOSFET
1.掺杂后的半导体 P型半导体，多子是空穴，少子是自由电子。 N型半导体，多子是自由电子，少子是空穴。 2.电中性 尽管他们分别有着空穴带正电，自由电子带负电，但是整体上是电中性的。 以P型半导体为例，尽管局部区域有由于空穴形成而产生的正电荷，但整个晶格的电子总数和原子核的电荷总是保持平衡，从而保持了整个材料的电中性。尽管是电子在移动，但在电流的方向上，空
碳化硅 (SiC)：历史与应用---凯利讯半导体
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC)，俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用。 利用当代技术，人们已使用 SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。这些陶瓷展现出颇具优势的机械特性，如： 高硬度 高强度 低密度
分立器件测试仪系统Si.SiC.GaN 材料 IGBT.Mosfet.Diode.BJT......
DCT1401 分立器件测试仪系统 DCT1401分立器件测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET
第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述
SiC产业概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表。 什么是半导体？ 官话来说，半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 但导电性能的强弱，并非是体现半导体材料价值的最直观属性，半导体材料的导电和绝缘属性之间的切换，才是构成半导体产业的核心。半导体材料在导电和绝缘之间转换，是计算世界里0和1，电力电子领域的关闭和导通的基础。 从材料构成化学成分来分类，半导体可分为元素
【氮化镓】利用Ga2O3缓冲层改善SiC衬底AlN/GaN/AlGaN HEMT器件性能
Micro and Nanostructures 189 (2024) 207815文献于阅读总结。 本文是关于使用SiC衬底AlN/GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的研究，特别是探讨了不同缓冲层对器件性能的影响，以应用于高速射频（RF）应用。研究主要关注如何选择一个成本效益高、厚度超过1微米且缺陷较少的缓冲层，以改善直流（DC）和射频（RF）性能。研究中特别提到了使用β-Ga2
SLMi334 单通道 4A输出电流 兼容光耦 一款带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动器 完美兼容 ACPL-332J 无光衰问题
随着对信号的抗干扰能力的要求越来越高，而且现在的工业应用电路也不满足于简单的光耦隔离这一效果。为了顺应市场的需求，一些高端的光耦也集成了采样，检测等功能，成为了光耦领域的多面手。当然容耦也不甘示弱，凭着自身的特点，在市场也是占据了一席之地。 隔离方式 光耦是采用光-电-光的传输方式来进行信号的传输--会有光衰问题 磁耦是通过磁场进行能量传递将信号进行隔离传输 容耦是采用高频信号调制解调将输
如何通过SiC增强电池储能系统？
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案，改善BESS的性能。 BESS 的优势 最常用的储能方法有四种，分别是电化学储能、化学储能、热储能和机械储
SiC碳化硅功率器件测试哪些方面？碳化硅功率器件测试系统NSAT-2000
SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。 近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。 目前常用的SiC碳化硅功率半导体器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二极管)与碳化硅mosfet(
最新成果展示：SiC BJT精准模型的开发
第三代半导体功率器件的飞速发展成功激励新能源电动汽车市场的高速增长，其中双极结型晶体管（BJT）是电机可变速驱动装置或不间断电源装置等电力转换器的核心开关元件。因此，BJT中载流子输运与电流放大模型的精确开发将有力推进BJT器件的设计与研发，这对于新能源电动汽车的产业升级与更新换代具有重大意义。 近期，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的仿真设计平台成功开发出了BJT器件的精准计算模型
SiC电机控制器（逆变器）发展概况及技术方向
SiC电机控制器（逆变器）发展概况及技术方向 1.概述2.电动汽车动力系统设计趋势3.栅极驱动器和驱动电源配置4.结论 tips：资料来自网上搜集，仅供学习使用。 1.概述 2022年到2023年，第三代半导体碳化硅被推上了新的热潮。我们都知道只要是半导体行业，必定会引起世界瞩目。今天我们以汽车行业为例主要了解碳化硅平台的优势和技术路线。 2.电动汽车动力系统设计趋势
SIC插槽，WSIC插槽，XSIC插槽
如下图，右上最小的插槽是SIC插槽；下面，或者左面宽一点的是WSIC插槽；最下面最大，最宽的是XSIC插槽。 图中共有2个sic，3个wsic，4个xsic。
关于SIC 的Know-how
SiC的分类和用途 根据电阻率不同，SiC衬底晶片可分为导电型和半绝缘型。 SiC衬底晶片主要用来做成高压功率器件和高频功率器件。其中，导电型SiC衬底晶片经过SiC外延后（SiC基SiC外延片），主要应用于制造耐高温、耐高压的功率器件，市场规模较大；半绝缘型SiC衬底晶片经过GaN外延后（SiC基GaN外延片），主要应用于微波射频器件（功率放大器PA为主），应用于5G、雷达、卫星通信等领域。
第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述
SiC产业概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表。 什么是半导体？ 官话来说，半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 但导电性能的强弱，并非是体现半导体材料价值的最直观属性，半导体材料的导电和绝缘属性之间的切换，才是构成半导体产业的核心。半导体材料在导电和绝缘之间转换，是计算世界里0和1，电力电子领域的关闭和导通的基础。 从材料构成化学成分来分类，半导体可分为元素
Power Integrations高度灵活的门极驱动器系统适合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC双功率模块
可立即使用的SCALE-iFlex系统轻松支持四个模块并联；出厂涂覆三防漆可极大增强可靠性 美国加利福尼亚州圣何塞--(美国商业资讯)--深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出SCALE-iFlex™门极驱动器系统，新产品适合耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功
福岛SiC应用技研株式会社在C轮融资中筹得3,000万美元（31亿日元）
日本福岛--(美国商业资讯)--总部位于福岛县楢叶町、正在开发下一代BNCT*放疗解决方案的碳化硅技术公司福岛SiC应用技研株式会社(Fukushima SiC Applied Engineering Inc.)已在C轮融资中筹得3,000万美元（31亿日元），投资者包括C:iz Investment LLP、Japan Post Investment Corporation、Astellas V
About sic code
标准产业分类( SIC )代码是由4位数字组成,由美国政府为了对商业机构确定其主营业务而建立. 方便收集,描述和分析数据; 并为了加强统一性和可比性,由联邦政府的各个机构包括 国家机构和私人组织 提供统计数据. 分类涵盖所有经济行为:农业,林业,渔业,狩猎和捕杀; 采矿; 施工; 制造业; 运输; 通信,电力, 天然气和卫生服务; 批发贸易; 零售贸易; 金融; 保险和房地产; 个人,企业
Wolfspeed 开设世界上最大的 200 毫米 SiC 晶圆厂
纽约工厂扩大 Wolfspeed 产能以满足汽车和工业应用日益增长的需求 Wolfspeed 已在纽约州马西市正式开设了最先进的莫霍克谷碳化硅制造工厂，并举行了由联邦和州官员参加的剪彩仪式。 200 毫米晶圆厂将有助于引领整个行业从硅到碳化硅半导体的过渡。 除 Lucid Motors 产品高级副总裁兼总工程师 Eric Bach 外，纽约州州长 Kathy Hochul 也在现场正式欢迎
电装入股Coherent子公司SiC晶圆制造企业Silicon Carbide LLC
株式会社电装（以下简称“电装”）宣布对Coherent Corp.（以下简称“Coherent”）的子公司SiC晶圆制造企业Silicon Carbide LLC注资5亿美元，并获得该公司12.5%的股权。这项投资将确保电装长期稳定采购SiC晶圆，以提高在电动化领域的竞争力。 随着电动汽车在全球碳减排措施中的加速开发和普及，汽车电动化所需的半导体需求也在迅速增长。其中，SiC（碳化硅）在高温、高
影响SiC MOSFET阈值电压不稳定的因素有哪些？如何应对？
功率半导体器件一直是电力电子技术发展的重要组成部分，是电力电子装置实现电能转换、电源管理的核心器件，又称为电力电子器件，主要功能有变频、变压、整流、功率转换和管理等，兼具节能功效。随着电力电子应用领域的不断扩展和电力电子技术水平的提高，功率半导体器件也在不断发展和创新，其应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。
如何正确装配VE-Trac™ Direct / Direct SiC？这篇文章带你从入门到精通！
适用于以下部件 图1 VE-Trac Direct系列部件展示 简介 VE−Trac Direct 是安森美 (onsemi) 专为电动汽车 (EV) 主驱应用设计的功率模块系列，本文档为使用该产品的 Si−IGBT 和 SiC MOSFET 版本的设计人员提供指南。其中还包括各种端子和散热片变体。为了避免对组件造成不必要的机械应力，请务必按照推荐的装配顺序将功率
德州仪器推出全新车载毫米波雷达传感器；环旭电子预计2022量产电动车用逆变器使用的IGBT与SiC电源模块 | 全球TMT...
新品 莱维特LEWITT在中国市场发布品牌全球最新旗舰款麦克风LCT 1040，主要使用场景为专业录音室。LCT 1040由奥地利总部研发团队耗时十余年潜心优化打磨而成，共有四个不同的全模拟电子管音色：清晰，温暖，低沉，饱和。无论是强劲的摇滚演唱，还是舒缓的爵士，亦或是咆哮的吉他演奏，都能轻松找到匹配的音色。另外LCT 1040还配有精确的场效应晶体管电路，它可以和电子管电路无缝融合创造出混合
SIC，FIC，MIC区别
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碳化硅纳米线 SiC纳米线
碳化硅纳米线 规格或纯度：线/晶须含量：99% 长径比：10-50 英文名称：SiC Nanowire 别名：碳化硅纳米线,SiC晶须,SiC短纤维,SiC纳米线 英文别名：SiC Nanowire,SiC whiskers,SiC fiber 介绍： SiC纳米线是一种径向上尺寸低于100nm ，长度方向上远高于径向尺寸的单晶纤维。SiC纳米线生产技术一直都是全球研究的中心