具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

2024-03-27 22:40

本文主要是介绍具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V), 这些产品非常适合驱动以24V 、36V 、48V级电源 供电的应用,例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。

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近年来,全球电力需求量持续增长,如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题,这就要求不断提高各 种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中,中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中,制造商要求进一步降低功耗。另一方面,“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参 数,但对于普通的MOSFET而言,由于导通电阻与芯片尺寸成反比,Qgd会成比例增加,因此很难同时兼 顾这两项参数。针对这个课题,ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施,改善了 两者之间的权衡关系。

新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装, 实现了仅2.1mQ的业界超低导通电阻(Ron) *2 ,相比以往产品, 导通电阻降低了50% 。另外, 通过改 进栅极结构, Qgd*3 (栅-漏电荷,通常与导通电阻之间存在权衡关系)也比以往产品减少了约40% (Ron和 Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较) 。这可以降低开关损耗和导通损耗,非常有助于各种应 用产品的高效率工作。例如,当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时,新产品在稳态工作时的输出 电流范围内,实现了业界超高的电源效率(峰值时高达约95%)。

新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产 。另外, 新产品也已开始电商销售,从 Oneyac 电商平台均可购买。

未来,ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET,通过助力各种设备降低功耗和更加节能,为环境 保护等社会问题贡献力量。

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<产品阵容>

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<应用示例>

◇通信基站和服务器用的电源

◇工业和消费电子产品用的电机

以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。

<术语解说>

*1) Nch MOSFET

通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。

与Pch MOSFET相比, 由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻,并且在各种电路中具有更出色的易用性, 因而目前在市场上更受欢迎。

*2) 导通电阻(Ron)

MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小,导通时的功率损耗越少。

*3) Qgd (栅-漏电荷)

MOSFET开始导通后, 栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小, 开关速度越快, 开关时的损耗 (功率损耗)越小。

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