本文主要是介绍【电路笔记】-MOSFET作为开关,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
MOSFET 作为开关
文章目录
- MOSFET 作为开关
- 1、概述
- 2、MOSFET特性曲线
- 2.1 截住区域
- 2.2 饱和区域
- 3、MOSFET作为开关的示例
- 4、功率MOSFET电机控制
- 5、P沟道MOSFET作为开关
- 6、互补MOSFET作为开关电机控制器
当 MOSFET 在截止区和饱和区之间工作时,MOSFET 是非常好的电子开关,用于控制负载和 CMOS 数字电路。
1、概述
我们之前看到,N 沟道增强型 MOSFET (e-MOSFET) 使用正输入电压工作,并且具有极高的输入电阻(几乎无穷大),使得在与几乎所有设备连接时可以将 MOSFET 用作开关。 任何能够产生正输出的逻辑门或驱动器。
我们还看到,由于输入(栅极)电阻非常高,我们可以安全地将许多不同的 MOSFET 并联在一起,直到达到我们所需的电流处理能力。
虽然将各种 MOSFET 并联在一起可以使我们能够切换高电流或高电压负载,但这样做在组件和电路板空间方面都变得昂贵且不切实际。 为了克服这个问题,开发了功率场效应晶体管或功率 FET。
我们现在知道,场效应晶体管之间有两个主要区别:JFET 的耗尽模式以及 MOSFET 的增强模式和耗尽模式。 在本教程中,我们将研究使用增强型 MOSFET 作为开关,因为这些晶体管需要正栅极电压才能“导通”,需要零电压才能“关断”,这使得它们很容易被理解为开关,也很容易与 逻辑门。
增强型 MOSFET 或 e-MOSFET 的工作可以使用如下所示的 I-V 特性曲线来最好地描述。 当晶体管栅极的输入电压 (VIN) 为零时,MOSFET 实际上不传导电流,并且输出电压 (VOUT) 等于电源电压 VDD。 因此 MOSFET 在其“截止”区域内“关闭”运行。
2、MOSFET特性曲线
确保 MOSFET 在承载选定漏极电流时保持“导通”状态所需的最小导通状态栅极电压可以根据上面的 V-I 传输曲线确定。 当 V I N V_{IN} VIN 为高电平或等于 V D D V_{DD} VDD 时,MOSFET Q 点沿着负载线移动到 A 点。
由于沟道电阻的减小,漏极电流ID增加至其最大值。 I D I_D ID 成为独立于 V D D V_{DD} VDD 的恒定值,并且仅取决于 V G S V_{GS} VGS。 因此,晶体管的行为类似于闭合开关,但由于其 R D S R_{DS} RDS(on) 值,通道导通电阻不会完全降至零,而是变得非常小。
同样,当 VIN 为低电平或降至零时,MOSFET Q 点沿着负载线从 A 点移动到 B 点。 沟道电阻非常高,因此晶体管就像开路一样,没有电流流过沟道。 因此,如果 MOSFET 的栅极电压在高电平和低电平这两个值之间切换,MOSFET 将充当“单刀单掷”(SPST) 固态开关,此操作定义为:
2.1 截住区域
这里晶体管的工作条件是零输入栅极电压 ( V I N V_{IN} VIN)、零漏极电流 I D I_D ID 和输出电压 V D S = V D D V_{DS} = V_{DD} VDS=VDD。 因此,对于增强型 MOSFET,导电沟道关闭并且器件切换为“OFF”。
截止特性
- 输入和栅极接地(0V)
- 栅源电压小于阈值电压 V G S < V T H V_{GS} < V_{TH} VGS<VTH
- MOSFET 处于“OFF”状态(截止区域)
- 无漏极电流流动( I D = 0 I_D = 0 I
这篇关于【电路笔记】-MOSFET作为开关的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!