本文主要是介绍【氧化镓】β-Ga2O3肖特基势垒二极管的缺陷识别,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
本文是一篇关于β-Ga2O3肖特基势垒二极管在电子辐射和退火调节下缺陷识别的研究。文章首先介绍了β-Ga2O3作为一种高性能器件材料的重要性,然后详细描述了实验方法,包括样品制备、电子辐照、热退火处理以及电学特性和深能级瞬态谱(DLTS)测量。接着,文章展示了实验结果,并对观察到的现象进行了深入讨论。最后,文章总结了研究的主要发现和意义。
研究简介
β-Ga2O3是一种具有超宽带隙、高击穿场强和高Baliga's figure of merit(BFOM)的材料,因此在高性能器件中具有广泛的应用前景。然而,β-Ga2O3中的深能级缺陷态会导致载流子捕获和复合,影响器件的稳定性和可靠性。因此,识别和表征这些缺陷对于β-Ga2O3基器件的可靠应用至关重要。本文通过电子辐照和热退火处理,研究了这些影响,并利用DLTS技术对Ni/Au β-Ga2O3肖特基势垒二极管中的多数和少数载流子陷阱进行了表征。
实验方法设置
实验中使用的β-Ga2O3单晶衬底通过边缘定义薄膜喂养生长(EFG)方法生长,并通过水化物气相外延(HVPE)在衬底上生长了Si掺杂的外延层。通过激光切割、超声清洗和电子束蒸发等步骤完成了二极管的制造。电子辐照在黑龙江原子能研究所的电子束加速器设施中进行,辐照后的样品在真空和黑暗中进行了一系列的连续热退火处理。使用Keithley 4200半导体参数分析仪在25℃的空气中记录了正向电流密度-电压(J-V)和电容-电压(C-V)特性。DLTS测量在80-360K的温度范围内进行。
实验结果与讨论
实验结果表明,电子辐照对二极管的电学特性有显著影响。通过DLTS测量,观察到了三个陷阱态:H1位于EV+0.402 eV,E1位于EC-0.626 eV,E2位于EC-0.755 eV,其中电子陷阱E2是主要的。这些陷阱态的存在解释了测试样品电学性质的不稳定性。通过第一性原理计算,推测H1陷阱与VGaI2VOⅡ(+5/+3)或VGaⅡ-2VOⅡ(+3/+1)有关,E1陷阱与VGaI-VOI(1/-3)或Oic(-1/-2)有关,E2陷阱与Oid(0/-2)或OGaⅡ(1/-3)有关。此外,E2陷阱也与外源缺陷FeGa有关。
热退火处理对陷阱的浓度有显著影响。随着退火温度的升高,H1和E2陷阱的浓度发生了显著变化,表明退火过程可能有效地恢复材料和器件的质量。特别是,E2陷阱的浓度在退火过程中的降低与器件电学性质的恢复一致,表明E2陷阱可能在器件退化机制中起重要作用。
结论
本文通过电子辐照和热退火处理对Ni/Au β-Ga2O3肖特基势垒二极管进行了系统研究,揭示了辐照诱导缺陷的确切物理起源及其退火衍生过程。实验和理论计算相结合,确定了辐射诱导缺陷的结构,并揭示了辐射损伤的内在物理机制。为了更全面地将识别出的具体深缺陷与器件性能退化联系起来,未来需要对β-Ga2O3中的整个带隙缺陷进行更多的研究。
图1展示了垂直Ni/Au肖特基势垒二极管在β-Ga2O3外延层上的示意图,以及电子辐照和等温热退火处理后的电流密度-电压(J-V)和1/C2-V特性曲线。
(a)部分提供了二极管结构的示意图,包括Ni/Au肖特基接触、Si掺杂的外延层、Sn掺杂的β-Ga2O3衬底,以及Ti/Au欧姆接触。(b)部分显示了不同电子辐照剂量下的半对数J-V特性曲线,可以看出辐照对二极管正向电流特性有显著影响。(c)部分展示了1/C2-V特性曲线,这些曲线用于提取内置电势Vbi和有效载流子浓度ND。
图2显示了在不同电子辐照剂量下的DLTS谱图和阿伦尼乌斯图。
(a)部分展示了从120K到360K的温度扫描DLTS谱图,标识了H1、E1和E2三个缺陷特征。(b)部分提供了阿伦尼乌斯图,揭示了两个电子陷阱E1和E2的激活能量,以及一个空穴陷阱H1的激活能量。
图3展示了在不同退火温度下的DLTS谱图。
该图显示了从325K到525K的退火温度范围内的DLTS谱图,对比了未辐照和最终辐照后的样品,以虚线表示。通过DLTS谱图可以观察到陷阱H1和E2的浓度随退火温度的变化,这有助于理解退火过程对缺陷态的影响。
图3展示了在不同退火温度下的DLTS谱图。
该图显示了从325K到525K的退火温度范围内的DLTS谱图,对比了未辐照和最终辐照后的样品,以虚线表示。通过DLTS谱图可以观察到陷阱H1和E2的浓度随退火温度的变化,这有助于理解退火过程对缺陷态的影响。
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