WHU团队凭借匠心独运的三明治式掺Si量子势垒策略，显著提升了AlGaN基深紫外光LED的效率，这一创新成果为中国武汉大学的研究团队所取得。他们巧妙地设计出一种三明治状Si掺杂（未掺杂）方案，应用于Al0.6Ga0.4N量子势垒中，为改善深紫外光发光二极管（DUV LED）的光电性能和可靠性注入了新的活力。 周胜俊教授在谈及这一成果时表示：“我们惊喜地发现，三明治状的Si掺杂方案犹如一把魔法棒

本文是一篇关于β-Ga2O3肖特基势垒二极管在电子辐射和退火调节下缺陷识别的研究。文章首先介绍了β-Ga2O3作为一种高性能器件材料的重要性，然后详细描述了实验方法，包括样品制备、电子辐照、热退火处理以及电学特性和深能级瞬态谱（DLTS）测量。接着，文章展示了实验结果，并对观察到的现象进行了深入讨论。最后，文章总结了研究的主要发现和意义。 研究简介 β-Ga2O3是一种具有超宽带隙、高击穿

GaN Schottky Barrier Diode (SBD) Modeling and Parameter Extraction for Multicathode Application（TED 24年） 摘要 本文提出了一种适用于多阴极应用的紧凑型可扩展GaN肖特基二极管大信号模型。详细给出了外在和内在模型参数的可扩展规则。实验和理论结果表明，在相同偏置条件下，不同阴极数量的二极管之间可