本文是一篇关于β-Ga2O3肖特基势垒二极管在电子辐射和退火调节下缺陷识别的研究。文章首先介绍了β-Ga2O3作为一种高性能器件材料的重要性，然后详细描述了实验方法，包括样品制备、电子辐照、热退火处理以及电学特性和深能级瞬态谱（DLTS）测量。接着，文章展示了实验结果，并对观察到的现象进行了深入讨论。最后，文章总结了研究的主要发现和意义。 研究简介 β-Ga2O3是一种具有超宽带隙、高击穿

Micro and Nanostructures 189 (2024) 207815文献于阅读总结。 本文是关于使用SiC衬底AlN/GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的研究，特别是探讨了不同缓冲层对器件性能的影响，以应用于高速射频（RF）应用。研究主要关注如何选择一个成本效益高、厚度超过1微米且缺陷较少的缓冲层，以改善直流（DC）和射频（RF）性能。研究中特别提到了使用β-Ga2