pn专题
CPN Tools学习——从平面网构建分层 PN
1.先创建平面petri网 创建如下petri网： CPN ide创建petri网真的舒服很多，但是教程又是CPN Tools的，我的想法是看两个版本能不能互通，在前者创建，在后者运行学习。 新增定义： colset E = unit with e; 但是很明显我想的有点天真:（但是这个在tools中新建号也会报这个错，为啥呢？） 从详细的平面网络构造分层Petri net所需
模拟电子技术基础（二）--PN结
PN结的本质 芯片都是由硅晶体制成，单个硅原子最外层有带有4个电子 在纯硅当中这些电子会两两形成共价键，此时周围形成非常稳定的八电子结构 在一个回路中，灯泡不亮，不导通，因为电池无法吸引其中的电子离开，也无法输入新的电子 这就是纯硅不导电的原因！！ 综上，在这个基础上我们掺杂无价磷，磷有五个电子，和硅的4个电子也会形成稳定的八电子结构 此时多出来的一个电子是带负电的，这就是
学习笔记（5）：《微电子器件》陈星弼（第四版）第2章 PN结
学习笔记（5）：《微电子器件》陈星弼（第四版）第2章 PN结 2.2 PN结的直流电压方程2.2.1 外加电压时载流子的运动情况1.外加正向电压时载流子的运动情况2.外加反向电压时载流子的运动情况 2.2.1 势垒区两旁载流子浓度的玻尔兹曼分布2.2.3 扩散电流1.少子浓度的边界条件2.中性区内的少子浓度分布3. 扩散电流4.反向饱和电流 2.2.4 势垒区产生复合电流1.势垒区的净复合率
【酱浦菌-模拟仿真】python模拟仿真PN结伏安特性
PN结的伏安特性 PN结的伏安特性描述了PN结在外部电压作用下的电流-电压行为。这种特性通常包括正向偏置和反向偏置两种情况。 正向偏置 当外部电压的正极接到PN结的P型材料，负极接到N型材料时，称为正向偏置。在这种情况下，外加的正向电压会削弱PN结的内建电场，使得耗尽区内的正负离子数量减少，内建电场和势垒电压降低，从而允许电流通过PN结。随着正向电压的增加，耗尽区进一步缩小，内建电场进一步削
模拟CMOS 基础知识1——PN结与二/三极管
模拟CMOS 基础知识1——PN结与二/三极管 文章目录 模拟CMOS 基础知识1——PN结与二/三极管视频中的概念补充：PN结PN结的形成PN结的特性1、正向偏置2、反向偏置3、伏安特性4、反向击穿5、结电容 三极管 视频中的概念补充： n-type=加P（磷）等元素使得free electrons 成为多数 p-type=加B（硼）等元素使得holes称为多数
SINAMICS V90 PN 指导手册 第7章 旋转方向 300%过载 停车方式
电机旋转方向 关于电机旋转方向的调整，可以通过调整参数p29001完成，默认p29001=0为正转，p29001=1为反转 小结： 调节p29001参数改变电机旋转方向 300%过载能力 SINAMICS V90 驱动可以在300%过载的情况下工作，时间占空比如下图 200V系列伺服驱动300%过载能力 400V系列伺服驱动300%过载能力 小结： 2
【郑益慧】1. PN结的形成
1. 本征半导体 1.1 半导体 介于绝缘体和导体之间的物质 本征半导体： 是一种完全纯净的，结构完整的半导体晶体。也就是只有硅元素 1.2 半导体中的载流子 本征激发：半导体共价键的价电子并不会像绝缘体那样束缚的特别紧，受到温度影响，被束缚的价电子获得足够的随机热振动能量而脱离共价键的束缚称为自由电子。 自由电子在晶体中的运动，这种现象称为本征激发。 载流子 空穴和自由电子均属
01【Vector CP】- 详解基于CAN 总线的PN局部网络管理
Partial Networking概述 Partial Networking适用的场景： 总线上依然有通信总线上的某些ECU关闭通信堆栈来降低功耗 Note：Partial Networking功能及其所有子功能是可选的，必须进行配置。 为了控制此类ECU的关断和唤醒，CAN NM提供了一种额外的算法： NM PDU 消息中的用户数据部分包含了PNs （Partial Network
200 Smart 与 PLC 4000 PN/PN Coupler通讯
1、打开200 smart 菜单栏选择工具，profinet网络，添加控制器 2、200 Smart PN /PN Coupler 做为控制器组态IO均配置128个BYTE. 3、S7400 在硬件配置里组态 PN/PN Coupler通讯 并添加报文长度为128BYTE 4、通过程序将200 msart中的IO点写到DB数据块内
《涨知识啦1-pn结》重磅来袭！！！
《涨知识啦》版块今天正式开讲，在日后的更新中，会将各种半导体器件的工作原理以及重要结构参数进行仔细剖析，由浅入深，一一讲述。 半导体人都知道在发光二极管（LED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、太阳能电池（Solar Cell）、双极型晶体管（BJT）、结场效应晶体管（JFET）以及绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等各类半导体器件中，有一个最基础的结构——pn结。接下来将介绍pn结的组成及工作原
《涨知识啦17》---PN结的热效应
在前面的PN结系列中我们提到过理想PN结的I-V曲线可用如下数学式表达，本周《涨知识啦》将继续给大家介绍PN结系列一些基础知识——PN结的热效应。 PN结的正向电压UF（通态压降）是温度T的函数。在电流密度较小时，UF随着温度T的上升而下降，因而其温度系数是负数。在电流密度较大时，由于PN结中性区的电阻对UF有重要影响，而载流子的迁移率在高温时变小会使中性区的电阻增大，因而这时的UF将随温度上升
《涨知识啦15》---pn结寄生电阻的估算
在前面的《涨知识啦13》中我们提到过二极管并不仅仅由一个理想的pn结构成，还存在着各种各样的寄生电阻，总体可按与pn结串并联情况分为串联电阻（Rs）与并联电阻（Rp），如下图。有些时候我们需要估算这些寄生电阻的电阻值，才能方便我们进行下一步的研究分析，然而这些寄生电阻寄生在器件内部而无法直接对其进行测量，因此今天我们主要介绍一种估算寄生电阻值的方法。 从下图中我们可以得知在二极管正向导通之前，I
硬件基础：半导体和PN结
学模电之前，应该是已经学过基础电路的内容了。 那为什么还要学习模电呢？ 因为电路分析中只是学了电路基础部分，主要涉及到的是无源器件，比如电阻电容电感；但是到了模电，就要开始学习有源器件了。 有源器件和无源器件 什么是无源器件和有源器件呢？ 简单来说无源器件就是不需要额外电源就能工作的器件；有源器件就是除了连入电路之外，还需要提供额外的电源来进行控制。 “在电子电路中，元器件通常被分为
学习笔记（5）：《微电子器件》陈星弼（第四版）第2章 PN结
学习笔记（5）：《微电子器件》陈星弼（第四版）第2章 PN结 2.2 PN结的直流电压方程2.2.1 外加电压时载流子的运动情况1.外加正向电压时载流子的运动情况2.外加反向电压时载流子的运动情况 2.2.1 势垒区两旁载流子浓度的玻尔兹曼分布2.2.3 扩散电流1.少子浓度的边界条件2.中性区内的少子浓度分布3. 扩散电流4.反向饱和电流 2.2.4 势垒区产生复合电流1.势垒区的净复合率
Profinet从站开发（4）- EB200P step by step （编译PN协议栈）
安装协议栈 拿到EB200P安装光盘（4.4固件）后，首先运行Setup进行安装，一路默认设置就好。 安装完成后，会在C:\Program Files (x86)找到文件夹DEVKIT44，这是协议栈开发包的全部内容。首先将DEVKIT44复制到非系统盘（比如D盘）根目录下。很多人喜欢把协议栈放到其他文件夹内（比如包含中文或者很深的路径），本人不建议这么做，会造成很多不必要的麻烦。 首先看
巧记pn结静电特性——hebut考试版
文章目录 前言一、pn结结构图与基础数学知识二、pn结静电特性中的三大件1.电荷密度2.电场强度3.电势电压 三、pn结静电特性中的两朵乌云1.内建电势2.耗尽层宽度 四、pn结静电特性推广1.外加电压VA不为零2.p+—n结 五、思考题总结 前言 为了帮助各位器件学习的初学者更好地应对考试，用最少的时间经历掌握住pn结静电特性的考核重点公式，本文在不细纠原理的前提下巧妙地将
模拟电路知识点总结（详细版）-- PN结
一、半导体：介于绝缘体和导体之间 二、本征半导体：纯净的半导体 1.晶体结构：正四面体 2.载流子： 本征激发:逃离共价键的束缚，成为自由电子 (本征半导体的本征激发，通常是由温度引起的晶体结构内部的共价键断裂，而导致电子或空穴逃离共价键的运动) ①自由电子 ②空穴 3.复合：自由电子和空穴的复合，成为共价键，而使其彼此湮灭 4.影响复合
![已解决：好用的集成PHP环境 一键安装包PHPNow--Win7下安装phpnow的方法出现[ Apache_pn ] 错误的解决 ！（亲自测试通过）...](http://hi.csdn.net/attachment/201108/18/0_1313679555Z0a0.gif)
已解决：好用的集成PHP环境 一键安装包PHPNow--Win7下安装phpnow的方法出现[ Apache_pn ] 错误的解决 ！（亲自测试通过）...
今日安装PHPNow的时候，出现如下情况：(还好已解决) Win7下安装phpnow的方法出现[ Apache_pn ] 错误的解决 安装PHPnow时如果遇到下列问题： 【phpnow官网下载地址:http://www.phpnow.org/】 安装服务[apache_pn]失败.可能原因如下: 1. 服务名已存在，请卸载或使用不同的服务名. 2. 非管理
《涨知识啦17》---PN结的热效应
在前面的PN结系列中我们提到过理想PN结的I-V曲线可用如下数学式表达，本周《涨知识啦》将继续给大家介绍PN结系列一些基础知识——PN结的热效应。 PN结的正向电压UF（通态压降）是温度T的函数。在电流密度较小时，UF随着温度T的上升而下降，因而其温度系数是负数。在电流密度较大时，由于PN结中性区的电阻对UF有重要影响，而载流子的迁移率在高温时变小会使中性区的电阻增大，因而这时的UF将随温度上升
PN结、二极管、三极管、三极管放大电路、上拉电路/下拉电路
1、N型参杂 与 P型参杂 B站 视频地址 ：https://www.bilibili.com/video/BV1fB4y147Gn 1）N型参杂 （N型半导体） ： 4价硅 参杂 5价麟，多一个自由负电子（带负电） 2）P型参杂 （N型半导体） 4价硅 参杂 3价硼，多一个空穴（带正电） 2、PN 结 两种参杂，构成 PN结 3、二极管原理 1）导通的情况
本征半导体和PN结概念解析
半导体 材料取自于元素周期表中金属与非金属的交界处。常温下半导体导电性能介于导体与绝缘体之间。 本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。（由于不含杂质且为晶体结构，所以导电性比普通半导体差） 常温下，少数价电子由于热运动获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子。此时，共价键留下一个空位置，即空穴。原子因失去电子而带正电，或者说空穴带正电。在本征半导体外加一个
肖特基二极管和PN结二极管选型比较
二极管选型相对简单，相信每个硬件工程师，都有对比过肖特基二极管与PN结二极管的差异。 差异无非有以下结果： 表中参数，看看就好，并不严格，知道二者之间的相对大小就行了。 了解了上面参数，基本就知道什么电路，该选什么类型的二极管了。 能用PN结二极管的地方就用PN结二极管，因为价格便宜。 肖特基二极管的优势主要在速度和压降，对这两个没要求的场景，那自然选择更便宜的由PN结构成的二
V90 PN伺服_通信报文（标准报文1+西门子105+111）的控制字和状态字详解
V90 PN伺服_通信报文（标准报文1+西门子105+111）的控制字和状态字详解 标准报文1 详细介绍： 如下图所示，右侧即为控制字STW1的每一位的具体功能说明，其中第13、14、15位为预留，暂不使用 常用的控制字有：047E（停止）和047F（启动）