本文主要是介绍【论文读后感】绕组损耗机理分析与新型高频气隙电感的设计,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
1、磁芯里面的磁通由3部分组成:主磁通、边缘磁通与旁路磁通;其中边缘磁通和旁路磁通会额外产生铜损;
2、补充说明边缘磁通和旁路磁通的说明:
根据之前陈为老师《高频电感气隙的铜损分析与气隙布置》的论文说明,文中对EE和EI磁芯的磁势做了详细分析;
可能中间插入一段内容会容易理解一点为什么H会是这样的:严格来说上面H的图是磁位差的分布,基于文中的假设,磁势是一条从0到NI的斜线,而磁压降却是由3段线段组成,两条曲线相减,即磁位差=磁势-磁压降,就是上图的分布,如图3所示;
但是这个分布没法分离散磁通和旁路磁通的各自影响,只能说明是一起导致总的效果;但是个人感觉文中应该还有个隐含的假设:气隙大小一样位置不同,散磁通一样;不确定这条假设的正确性;
3、后续说的新型结构,就是在气隙旁引入一条低磁导率的磁路,这个就没什么特别要说的;
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