来源:A Compact Model of High-Voltage MOSFET Based on Electric Field Continuity for Accurate Characterization of Capacitance(TED 24年) 摘要 本文提出了一种新的高压MOSFET(HV MOS)紧凑模型,以消除现有模型中过高电容峰值的问题。与现有的改进电容模型方法相比,所
原文信息(包括题目、发表期刊、原文链接等):First Order Methods Beyond Convexity and Lipschitz Gradient Continuity with Applications to Quadratic Inverse Problems 原文作者:Jérôme Bolte, Shoham Sabach, Marc Teboulle, and Yak
论文名称: CWCL: Cross-Modal Transfer with Continuously Weighted Contrastive Loss 论文链接: https://arxiv.org/abs/2309.14580 一些通过大规模预训练的跨模态表示对齐模型(例如CLIP和LiT)往往能够展示出非常强大的跨领域zero-shot能力,这种能力是我们通向通用人工智能的重
曲线间连接的光滑度的度量: 参数连续性:组合参数曲线在连接处具有直到n阶连续导矢,即n阶连续可微,称为n阶参数连续性 C n C^n Cn几何连续性:组合曲线在连接处满足不同于 C n C^n Cn的某一组约束条件,称为具有n阶几何连续性 G n G^n Gn。 对于参数 t ∈ [ 0 , 1 ] t\in[0,1] t∈[0,1]的两条曲线P(t)和Q(t) 若要求在结合处达到 C 0