栅极专题
KP8530X系列KP85303SGA 内置互锁/带自举 650V耐压，集成自举二极管的半桥栅极驱动器兼容代替IRS2004，IRS2008
KP8530X系列KP85303 是一款 650V 耐压，集成自举二极管的半桥栅极驱动器，具有 0.3A 拉电流和 0.6A 灌电流能力，专用于驱动功率 MOSFETs 或 IGBTs。 采用高压器件工艺技术，具有良好的电流输出及出色的抗瞬态干扰能力。在输入逻辑引脚 -5V，开关节点 VS 瞬态 -7V 情况下可保证系统正常工作。可支持最高 50V/ns 的 dv/dt 变化。 具有完善保护功
如何选择合适的半桥栅极驱动芯片？KP8530X，KP85402，KP85211A满足你对半桥栅极驱动一切需求
半桥栅极驱动系列KP8530X，KP85402，KP85211A在功率电子领域展现出卓越的性能和可靠的品质。具备诸多显著优势。首先，半桥栅极驱动系列KP8530X，KP85402，KP85211A拥有出色的耐压性能，可承受高达数百伏的电压，确保在高压环境下稳定运行。其次，强大的电流输出能力，能够精准、高效地驱动功率器件，满足各种复杂应用场景的需求。再者，在设计上集成了关键的自举二极管，有效简化了电
正式发布 | 极海首款GHD3440电机专用栅极驱动器，构建多元电机产品矩阵
栅极驱动器是低压控制器和高功电路之间的缓冲电路，用于放大控制器的控制信号，从而实现功率器件更有效的导通和关断。随着各种智能电子设备的不断普及和应用，栅极驱动器的市场需求也在不断增加。据国际权威研究机构Yole Group预计，其市场规模有望在2027年达到27亿美元。 极海电机产品线，再添新成员 面向电机控制市场用户需求，极海继发布APM32F035电机控制专用微控制器后，全新推出首款G
MOSFET场效应管栅极驱动电流的计算
MOSFET驱动 MOSFET场效应管是电压驱动器件，输入有电容，因此为可靠驱动MOSFET，栅极需要施加较大的驱动电流。 功率MOSFET开关模型 该模型显示了影响开关性能的最重要的寄生器件。 图1 MOSFET开通过程 MOSFET场效应管的开通动作可分为如下图所示的4个阶段。 图2 栅极所需驱动电流计算公式 一个很重要的参数是计算栅极驱动电流必须的：Qg Ig=Qg/t 或
矽塔SA6288Q栅极驱动器介绍
SA6288 是一款集成了三个独立半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。可在高达250V 电压下工作。 SA6288内置 VCC 和 VBS 欠压（ UVLO ）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。SA6288输入脚兼容 3.3-15.0V 输入逻辑，集成防穿通死区时间为250ns ，驱动能力为+1.0A/-1.5A 。 SA6288
【氮化镓】栅极漏电对阈值电压和亚阈值摆幅影响建模
本文是一篇关于p-GaN门AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的研究文章，发表于《应用物理杂志》（J. Appl. Phys.）2024年4月8日的期刊上。文章的标题为“Analysis and modeling of the influence of gate leakage current on threshold voltage and subthreshold swing
多晶硅为什么能取代铝做栅极材料
栅（Gate）是一种控制元件，通常用于场效应晶体管（FET）中，比如金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）等。可以用铝或多晶硅做栅极材料，是什么原因呢？为什么铝又渐渐被其他材料所取代呢？ 什么是栅/栅极？ 栅，英文名Gate，门的意思。通过改变栅极电压，可以控制硅表面是否形成一个导电通道，进而控制电子（或空穴）的流动，就像开启或关闭一扇门一样。当栅极电压超过一定阈值时，允许源
【硬件设计】（更新中）以 UCC27710 为例设计栅极驱动器元件选型（资料摘抄）
还没更新完。。。。。。。 【仅作自学记录，不出于任何商业目的。如有侵权，请联系删除，谢谢！】 本文摘抄翻译自： Bootstrap Network Analysis: Focusing on the Integrated Bootstrap Functionality (infineon.com)Bootstrap Circuitry Selection for Half Bridge
FOD3150栅极驱动光电耦合器 适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET
FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。广泛应用于不间断电源 空调，电动工具 电磁炉，太阳能 电动/混合动力汽车等不同领域！ 特性： 1.具有20kV/μs（最小值）共模抑制特点的高抗噪能力 2.使用输出级的P沟道MOSF
MOSFET栅极应用电路分析汇总（驱动、加速、保护、自举等等）
概述 MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计不当，容易造成器件甚至系统的失效，因此发这篇文章将栅极常见的电路整理出来供大家参考讨论，也欢迎大家提出自己的观点。 MOSFET栅极
【翻译】开关应用中功率MOSFET的栅极驱动
本文是一份MOSFET器件特性和栅极驱动指南。 原文：Gate drive for power MOSFETs in switching applications 原文地址：Application Note Gate drive for power MOSFETs in switching applications (infineon.com) 作者：Peter B.Green，Liz Zh
绝缘栅极晶体管IGBT
IGBT（绝缘栅极晶体管）: 常用于百V百A级使用，外观上看相比于MOS最大的区别是比较大，mos主要用于中小功率器件中。 本质是一个电子开关，相比于MOS和三极管来说其最大的特点是耐压很高，可达6000V以上；而且通过的电流很大可达3600A，除此之外其开关频率也很高，但价格很贵。在电动汽车尤为常见，因为电动汽车电池为直流电，而电机为交流电 G极高电平CE导通，G极低电平CE闭合，结合
为什么与 MOSFET 栅极并联的 ZENER 二极管可能会引发振荡，要将其连接到栅极串阻的外侧？？？
在MOSFET驱动电路中，并联在栅极上的齐纳二极管（Zener diode）通常用来限制栅极电压，防止过压损坏MOSFET。然而，如果齐纳二极管直接并联在栅极上，而没有串联一个电阻，这可能会导致电路中产生振荡。对电路主要影响有以下几点： 寄生电容和电感：MOSFET的栅极具有寄生电容，而电路板布线、元件引脚和齐纳二极管本身也会引入寄生电感。当齐纳二极管直接
在金属/绝缘体/p-GaN栅极高电子迁移率晶体管中同时实现大的栅压摆幅和增强的阈值电压稳定性
标题：Simultaneously Achieving Large Gate Swing and Enhanced Threshold Voltage Stability in Metal/Insulator/p-GaN Gate HEMT (IEDM2023) 摘要 摘要：对于增强型GaN功率晶体管的发展，栅压摆幅和阈值电压稳定性通常是互相排斥的。本文展示了一种具有内置p-GaN电位稳定器(
栅极驱动器原理：揭示电子器件中的关键组件
在当今的数字时代，电子元件是塑造我们生活的无数技术奇迹的支柱。从智能手机到电动汽车以及介于两者之间的所有产品，电子元件都发挥着至关重要的作用。称为栅极驱动器的关键组件在控制半导体器件的开关方面发挥着关键作用。本文深入探讨了栅极驱动器的原理、其重要性以及它们如何促进电子电路和系统的高效运行。 什么是栅极驱动器？ 栅极驱动器是一种电子电路，充当低压控制信号和高功率半导体开关【例如MOSFET（金属
BLDC智能栅极驱动芯片之TMC6140知识分享
今天和大家分享一颗智能栅极驱动芯片完全集成的通用三相MOSFET 栅极驱动器，适用于 PMSM 伺服或 BLDC 电机. 支持高达 100 A 电机电流的外部MOSFET. 三个底部分流放大器可以轻松检测电流并增强电机的换向。TMC6140设计为单一电源轨，自带开关稳压器（3.3 V，0.5A，内部肖特基二极管，电流高达 100 mA）为 IO 和外部微控制器产生足够的电力. 此外，它可以用作升
高速低侧栅极驱动电路低侧驱动IC
国硅（新洁能旗下子公司）NSG4426低侧驱动芯片，双通道2A高速低侧栅极驱动电路NSG4426，pin对pin直接替换 IR4426NSG4427，pin对pin直接替换 IR4427NSG4428，pin对pin直接替换 IR4428NSG4437，pin对pin直接替换 FAN3227NSG4426/NSG4427/NSG4428/ NSG4437 4.5~25V工作电压范围 2A/2A输出
记录栅极驱动测试时一个奇怪的现象
使用FD6288构成的三相桥式驱动电路如下： 其中VM为12V，VGS为5V，FD6288逻辑输入为单片机3.3V。 测试时直接给HIN1加上高电平，其余全置低电平，然后奇怪的事情发生了：三相均有输出电压且均为2.6V左右（即VS1 VS2 VS3均为2.6V左右），且HO1 HO2 HO3电压测得也均为2.6V左右，而LO1 LO2 LO3为正常的5V，下管是正常关断的。 因为对栅极驱
功率MOSFET的栅极电荷特性
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。 Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。 Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。 Qgd：栅极和漏极电荷 Qgs：栅极和源极电荷 栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中，栅极使用恒流源驱动，也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电，漏极电流I
隔离式栅极驱动器输入级对电机驱动应用的影响
介绍 在电机驱动应用中为功率级选择隔离式栅极驱动器时，您有多种选择。栅极驱动器可简单可复杂，具有集成米勒箝位、分离输出或绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 发射极的欠压 （UVLO） 锁定参考等功能。 输入级有两个选项：电压输入级或电流输入级。在本文中，我将介绍这两种输入级选项，并提供在为应用选择带输入级的栅极驱动器时应考虑的一些细节。 电压输入级 电压输入器件接受互补金属氧化物半导体脉宽调制
No.5:【一种带有分离栅极和集成 JBS 二极管的新型 SiC 非对称单元沟槽 MOSFET】论文学习
目录 标题作者期刊阅读日期知识积累研究内容文章创新点研究方法得出结论 标题 A Novel SiC Asymmetric Cell Trench MOSFET With Split Gate and Integrated JBS Diode（一种带有分离栅极和集成 JBS 二极管的新型 SiC 非对称单元沟槽 MOSFET） 作者 JINPING ZHANG (Member,
AMEYA360：ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。 近年来，在服务器系统等领域，由于 IoT 设备的需求日益增长，电源部分的功率转换效率提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题，而这就要求功率元器件的不断优化。另外，不仅在自动驾驶领域，在工业设备和社会基础设施监控等领域应用也非常广泛的 LiDAR*1，也需要通
TI三相电机智能栅极驱动芯片特点分类
最近想画个无刷电机驱动，在TI的三相电机栅极驱动芯片产品目录翻了半天，终于大概的搞明白每个型号之间的区别，简单分类总结了一下，送给有同样需求的xd们。