多晶硅为什么能取代铝做栅极材料

2024-03-11 23:52
文章标签 取代 材料 栅极 多晶硅

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栅(Gate)是一种控制元件,通常用于场效应晶体管(FET)中,比如金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等。可以用铝或多晶硅做栅极材料,是什么原因呢?为什么铝又渐渐被其他材料所取代呢?

什么是栅/栅极?

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栅,英文名Gate,门的意思。通过改变栅极电压,可以控制硅表面是否形成一个导电通道,进而控制电子(或空穴)的流动,就像开启或关闭一扇门一样。当栅极电压超过一定阈值时,允许源极(Source)到漏极(Drain)之间的电流流动;反之,通道关闭,电流被阻断。另外栅极可以用来放大微弱的信号等作用。

铝栅和多晶硅栅工艺技术?

早期的MOSFET使用铝(Al)作为栅材料,因为铝是具有较低的电阻率,能够有效地传递控制电压至栅氧化层,从而控制沟道中的电流。铝栅极一般的做法是在蒸发真空室内将铝蒸发并沉积到晶圆表面上。

通过化学气相沉积(CVD)技术沉积一层均匀的多晶硅层&

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