绝缘栅极晶体管IGBT

2024-02-10 05:04
文章标签 晶体管 绝缘 igbt 栅极

本文主要是介绍绝缘栅极晶体管IGBT,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

IGBT(绝缘栅极晶体管):

常用于百V百A级使用,外观上看相比于MOS最大的区别是比较大,mos主要用于中小功率器件中。

本质是一个电子开关,相比于MOS和三极管来说其最大的特点是耐压很高,可达6000V以上;而且通过的电流很大可达3600A,除此之外其开关频率也很高,但价格很贵。在电动汽车尤为常见,因为电动汽车电池为直流电,而电机为交流电

G极高电平CE导通,G极低电平CE闭合,结合了MOS低驱动电流和三极管低导通电阻

最大的作用是把高压直流电转化为交流电,也就是逆变器的作用,还有就是变频

主要以模块的形式出现,也有把诸多IGBT封装到一个器件的操作,如下:

从左到右依次为IGBT,MOS,三极管

600V以下大多数不选择IGBT,因为其导通时候CE压降在1到2V左右因而导致功率的损耗较大,600V以上这点压降可以忽略不计。另外MOS的开关频率可以做的比IGBT高,一般的家用逆变器的整理桥还是用MOS较多。

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