《晶体管电路设计》 第二章 放大电路的工作(二)

2024-09-01 21:20

本文主要是介绍《晶体管电路设计》 第二章 放大电路的工作(二),希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

一起阅读《晶体管电路设计》系列文章目录

第一章 概述
第二章 放大电路的工作(一)
第二章 放大电路的工作(二)


文章目录

  • 一起阅读《晶体管电路设计》系列文章目录
  • 前言
  • 三、放大电路的性能如何?
  • 四、共发射极应用电路
  • 总结


前言

一起阅读,共同进步。

上一节算是设计了一个放大电路,这里是实测一下,性能是不是跟我们设计的一样。最后作者还介绍了几个常用的放大电路。


三、放大电路的性能如何?

1.输入阻抗
测量方法:信号源上连接RS,由RS两端的振幅vs和vi之差,求输入阻抗。
vs = vi + ii * Zi
输入阻抗就是R1∥R2的值。
另外,接入RS后,vi振幅下降了,是因为这个时候输入阻抗变低了。(输入阻抗占比越高,输入振幅越大)
2.输出阻抗
类似于输入阻抗,值得注意的是,接入RL后,Vo振幅下降,是因为这个时候输出阻抗变高了。(我认为是输出阻抗在这个电路中的占比变高了,R的占比变低了,所以R两端的电压会下降)
3.放大倍数和频率特性
a)书中放大倍数不是公式算的,直接通过输出波形测量得出。4.4倍,比设计略低,因为计算时用到了近似处理。
b)低频截止频率0.8Hz,跟计算的差不多。
4.高频截止频率
根据测量得到,高频截止频率是3.98MHz。
但是这个管子的fT是80MHz。跟实际的电路截至频率差太多了。(为什么?)
换一个fT是550MHz的高频晶体管,发现实际的高频截止频率是6.6MHz。所以不是晶体管选型的问题。
原因可能是:
a)没有封装好(实验中只是焊在了洞洞板上)。高频电路,封装技术尤为关键。紧密制作下降接地阻抗是关键。
b)密勒效应可能也是频率不扩展的理由之一
简单来说,密勒效应就是输入输出(晶体管的B和C之间)之间存在一个电容,这个电容会对电路的频率特性造成一定的影响(有点像负反馈)。
那么密勒效应是怎么影响频率特性的呢?
在这里插入图片描述

如上图,晶体管内部,有电容电阻。在这里出问题的是Cbc
基极交流电压vi,到了集电极就是-Av * vi。所以Cbc之间的电压差是vi(1+Av)。
在没有放大之前,Cbc上交流电压差是vi,电流是i1;
放大后,Cbc之间的电压差是vi(1+Av),电流就是i1 * (1+Av)。
但是从输入端去看Cbc,输入端并不知道输出的电压变化,只知道Cbc交流电压是vi,但是电流却变化很大,因此,输入端“认为”Cbc增大了1+Av。所以输入端“认为”基极对地电容就变得很大,和rb之间形成了低通滤波器,高频特性就变差了。
注:晶体管中,Cbc * rb常被反应高频特性,越小越好。
5.提高放大倍数的手段
怎么提高设计电路的放大倍数呢,根据公式,最直观的就是改变RC和RE,但是这种改动会直接改变直流电路静态工作点。整个设计完全就被破坏了。
一般有两种方式(这里就不配图了):
a)RE并联RC串联电路,直流时,C看作断路,所以静态工作点不变,交流时,相当于RE并联了一个电阻。RE减小,交流放大倍数增大。
b)把RE分成两个电阻,其中一个电阻并联电容,这样直流时,静态工作点还是不变,交流时,相当于有一个电阻被短路了。还是RE减小,交流放大倍数增大。
以上两种方法都是减小RE,来增大交流放大倍数的,那么如果RE减小到0呢,理论上放大倍数时无穷大,实际不可能。因为,严格来说
Av = hFE * RC/hIE
hIE是输入阻抗常数,在1-10kΩ,hFE是电流放大系数。RC也是kΩ级别。
所以Av ≈ hFE(RC在极大或极小不适用)在极端条件下,认为Av与RC大小成正比即可。
6.噪声电压特性
0输入时,测输出,就是所谓噪声。数量级一般在-110dB.
7.总谐波失真率
THD代表输入信号的谐波有多大程度发生失真。(了解一下)

四、共发射极应用电路

1.NPN和负电源电路,和本章讲的放大电路完全一样
在这里插入图片描述
注意:
a)电解电容的极性。
b)发射极电阻直接并联了电容,放大倍数很大。
2.PNP 和负电源
在这里插入图片描述
注意:
a)电解电容的极性。
b)这里发射极并联的是RC串联电路。放大倍数相应减小了。
3.正负电源
在这里插入图片描述
注意:
a)输入端直接加了10kΩ,相当于输入接地了,直流电压就是0V。
b)输入不需要耦合电容了。有好处,此前的高频特性达不到公式算出来的大小,其中一个原因是因为密勒效应形成了低通滤波器,所以高频不好。而这里相反,这里原来有一个高通滤波器(输入电容和输入阻抗),输入电容没了,高通滤波器减小了,那么低频信号就更容易通过了。
c)这里发射极还是并联的是RC串联电路。放大倍数相应减小了。
4.低电压、低损耗放大电路
在这里插入图片描述
注意:
二极管是保证低电压还能工作的关键。没有二极管,电压稍微低一点,放大电路就不工作了。
5.两相信号发生电路
在这里插入图片描述
注意:
a)发射极和输入同向,集电极相反。
b)这不就是差分信号更抗干扰的原因吗
6.低通滤波电路
在这里插入图片描述
注意:
a)这是给RC并联了一个电容,这样的话,频率高时,RC减小,增益就下降了。
7.高频增强电路
在这里插入图片描述
注意:
a)给RE并联了一个电容。高频时,RE减小,增益上升。
8.高频宽带放大电路
在这里插入图片描述
注意:
a)电流大.
b)这里提到,要频率特性最好,所以发射极电流设置的很大。这个点前面讲过。
c)电容也要小,高频时,阻抗低。
9)140MHz放大电路
在这里插入图片描述
注意:集电极换成了谐振并联LC电路。仅在f0时,可以放大。

这一部分写的比较简单,只写了我看这些时的一些看法,书上更详细一些。


总结

这里第二章就讲完了,这一章设计了一个简单的放大电路,并且对这个放大电路进行了分析和实测。内容还是比较丰富的。

虽然大家都是青年才俊,为了方便大家阅读,还是配了几个图。

这篇关于《晶体管电路设计》 第二章 放大电路的工作(二)的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!



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