晶体管专题

《晶体管电路设计》第二章放大电路的工作（二）

一起阅读《晶体管电路设计》系列文章目录第一章概述第二章放大电路的工作（一）第二章放大电路的工作（二）文章目录一起阅读《晶体管电路设计》系列文章目录前言三、放大电路的性能如何？四、共发射极应用电路总结前言一起阅读，共同进步。上一节算是设计了一个放大电路，这里是实测一下，性能是不是跟我们设计的一样。最后作者还介绍了几个常用的放大电路。三、放

晶体管开关|放大电路

文章目录三极管(双极型晶体管 BJT)NPN与PNP几种区分方法三极管放大的物理原理三极管的两端是一样的吗？为什么一个叫集极一个叫发射极三极管实验 mos管三级管和mos管的区别三极管(双极型晶体管 BJT) 三极管是一种控制电流的半导体器件（控制元件）两种BJT类型三极管在数模电路的体现与应用 NPN与PNP几种区分方法看箭头：NPN(P型)的箭头

东芝2SC2712晶体管：性能强劲、应用广泛的完美选择

今天我要介绍一款在低频和音频放大应用中备受青睐的晶体管——东芝2SC2712。它不仅性能卓越，而且用途广泛，我们一起来看看它的亮点。性能与参数高电压和电流处理能力：东芝2SC2712晶体管拥有50V的高集电极-发射极电压 (VCEO)，能够轻松应对各种电路中的高电压需求。同时，它还能承载150mA的最大集电极电流 (IC)，在处理大电流负载时也毫不逊色。卓越的电流增益：这一款晶体管

晶体管类型及结构，晶体管的电流放大作用

晶体管类型及结构 1.3.1 晶体管的结构及类型根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成晶体管。采用平面工艺制成的 NPN型硅材料晶体管的结构如图1.3.2(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的 N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大；晶体管的外特性与三个区域的上述特点紧密相关。它们所引出的三个电极分别为

正确的功能可将热晶体管风速计线性化

处理传感器电路输出信号的电路或计算公式必须生成传感器响应的反函数。例如，如果传感器响应是对数函数，则线性化部分的响应必须是指数的。这项工作首先获取传感器响应的 46 个离散点（参见参考论文中的图 4）。刚开始时，自由度步长很小，曲线上升很快，随着曲线变得越来越平坦，自由度步长变得更大。尝试使用分段近似或三次样条拟合流量与电压响应的关系可以将线性误差降低至 1-2%，但代价是公式庞大。如果整个曲

通用高电子迁移率晶体管(HEMT)的差分微变解算方案及分析型模型

来源：A Difference-Microvariation Solution and Analytical Model for Generic HEMTs（TED 22年）摘要这篇论文提出了一种AlGaN/GaN和AlGaAs/GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)的分析型直流模型。该模型考虑了高栅偏压下势垒层中积累的电荷。为了突破准确高效求解模型的瓶颈问题,作者开发了一种改进的差分微

针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的显式表面电势计算和紧凑电流模型

来源：An Explicit Surface Potential Calculation and Compact Current Model for AlGaN/GaN HEMTs（EDL 15年）摘要在本文中,我们提出了一种新的紧凑模型,用于基于费米能级和表面电位的显式解来描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。该模型计算简单,且在预测表面电位和电流-电压特性方面具有高精度,非常适

针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)的准物理等效电路模型，包含基板中射频漏电流的温度依赖性

来源：Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si（TMTT 23年）摘要该文章提出了一种针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）的准物理等效电路模型，旨在模拟基板中的射频

据阿谱尔APO Research调研显示，2023年全球绝缘栅双极晶体管（IGBT）市场销售额约为89.9亿美元

根据阿谱尔 (APO Research）的统计及预测，2023年全球绝缘栅双极晶体管（IGBT）市场销售额约为89.9亿美元，预计在2024-2030年预测期内将以超过14.7%的CAGR（年复合增长率）增长。由于各行业对电力电子应用的需求不断增加，全球绝缘栅双极电晶体 (IGBT) 市场正在快速成长。其目标是制造和分销能够处理高电压和电流的 IGBT，同时最大限度地减少功率损耗，从而提高

晶体管分类选型

型号适用范围后补三极管大部分场合数字三极管多用于电平转换达林顿管用于较大输出电流场合常用有达林顿阵列如ULN2003 场效应管多用于大电流器件控制 IGBT管较场效应管有更高的耐压、更大的电流可控硅多用于直流控制交流

达林顿晶体管阵列选型参数，结构原理，工艺与注意问题总结

🏡《总目录》目录 1，概述1，工作原理2，结构特点2.1，级联结构2.2，高电压增益2.3，高输入阻抗2.4，低输出阻抗2.5，电流放大能力 3，工艺流程3.1，芯片选择与准备3.2，芯片加工3.3，芯片连接3.4，测试与筛选</

WNT2F04-3/TR NPN通用晶体管设计放大器应用WILLSEM

WNT2F04-3/TR NPN通用晶体管说明 WNT2F04专为通用目的而设计放大器应用。标准产品不含铅和无卤素特征 FAE: 13723714328 WPT2F06的补充集电极电流：IC = 0.2A 绝对最大额定值参数符号值单位集电极 - 发射极电压VCEO 40 V. 集电极电压VCBO 60 V. 发射极电压VEBO 6 V. 继续采集器电流IC 200 mA 集电极功耗P

【综述】二维半导体和晶体管在集成电路未来应用

一篇关于二维半导体和晶体管在集成电路未来应用的综述文章。文章由Lei Yin、Ruiqing Cheng、Jiahui Ding、Jian Jiang、Yutang Hou、Xiaoqiang Feng、Yao Wen和Jun He*共同撰写，发表在《ACS Nano》2024年第18卷上。 Figure 1: CMOS晶体管的演变描述了CMOS晶体管随着时间推移的结构和工艺节点

【电路笔记】-达林顿晶体管

达林顿晶体管文章目录达林顿晶体管1、概述2、基本达林顿晶体管配置3、示例4、达林顿晶体管应用5、Sziklai 晶体管对6、ULN2003A 达林顿晶体管阵列7、总结两个双极晶体管的达林顿晶体管配置可针对给定基极电流提供更大的电流切换。 1、概述达林顿晶体管以其发明者 Sidney Darlington 的名字命名，是两个连接在一起的标准 NPN 或 PNP 双极

晶体管-二极管三极管MOS管选型参数总结

🏡《总目录》目录 1，概述2，二极管选型参数2.1，类型（Type）2.2，最大整流电流（IF）2.3，反向击穿电压（VRRM）2.4，正向压降（VF）2.5，反向电流（IR）2.6，结温（Tj）2.7，热阻（Rth）2.8，频率特性2.9，包装类型

【电路笔记】-PNP晶体管

PNP晶体管文章目录 PNP晶体管1、概述2、PNP晶体管电路示例3、PNP晶体管识别 1、概述 PNP 晶体管与我们在上一篇教程中看到的 NPN 晶体管器件完全相反。在这种类型的 PNP 晶体管结构中，两个互连的二极管相对于之前的 NPN 晶体管是相反的。这会产生正-负-正类型的配置，箭头也定义了 PNP 晶体管符号中指向内的发射极端子。此外，PNP 晶体管的所

WNM2021-3/TR N通道增强型MOS场效应晶体管

描述 WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM2021是无铅的无卤特征FAE：13723714318 海沟技术 Supper高密度电池设计出色的导通电阻极低的阈值电压小型封装SOT-323 应用 DC-DC转换器电路负载开关等级转换小信

WNM2020-3/TR MOS场效应晶体管

说明 WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅的无卤。品牌：韦尔型号；WNM2020-3/TR 封装：SOD923 包装：3000 年份：18+ 特征 FAE:13723714318 海沟技术 Supper高密度电池设计出色的导通电阻

【电路笔记】-NPN晶体管

NPN晶体管文章目录 NPN晶体管1、概述2、双极NPN晶体管配置3、NPN晶体管中的α和β关系4、示例5、共发射极配置 1、概述 NPN 晶体管是三端三层器件，可用作放大器或电子开关。在前面的文章中，我们看到标准双极晶体管或 BJT 有两种基本形式。 NPN（负-正-负）配置和PNP（正-负-正）配置。即：有NPN晶体管和PNP晶体管两种类型。最常用的晶体管配置

BLP9H10-30GZ LDMOS 功率晶体管 Ampleon

BLP9H10-30GZ 30W塑料LDMOS 功率晶体管，适用于频率范围为616 MH 至960 MHz的基站应用。 BLP9H10-30GZ 特点和优势：高效率出色的耐用性专为宽带操作而设计出色的热稳定性高功率增益集成ESD保护有关 RoHS 合规性 BLP9H10-30GZ应用程序： FDD/TDD LTE GSM EDGE CDMA W-CDMA

《低功耗方法学》翻译——附录A：睡眠晶体管设计

附录A：睡眠晶体管设计休眠晶体管是PMOS或NMOS高VT晶体管，用于在待机模式下关闭设计部件的电源。PMOS休眠晶体管用于切换VDD电源，因此被称为“header开关”。NMOS休眠晶体管控制VSS电源，因此被称为“footer开关”。在90 nm及以下的设计中，由于同时实施header和footer开关时，电压裕度较小且面积太大，因此使用header或footer开关。虽然

指甲盖大小塞了500亿晶体管！领先台积电，IBM打造世界首款2纳米芯片！能耗仅为7纳米的1/4！...

文章来源：EETOP 我们知道在2014年IBM已将其Microelectronics部门出售给GlobalFoundries时，IBM就已经宣告退出芯片代工业务。但这几年来，尽管IBM退出了代工业务，不过好像IBM在半导体先进工艺研发上一直没有放弃，时不时会传出IBM推出领先世界一两代的最先进的技术。据IBM官网5月6日消息，IBM宣称自己打造了世界首个2纳米的芯片，大幅推进了当前芯片生

赛灵思发布世界最大FPGA芯片：350亿晶体管

赛灵思发布世界最大FPGA芯片：350亿晶体管转自：驱动之家赛灵思(Xilinx)今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”，拥有多达350亿个晶体管，密度在同类产品中也是最大的，相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍，而功耗降低了60％。虽然具体面积没有公布，和日前那个1.2万亿晶体管、46225平方毫米、AI计

$【模拟电子技术基础】第2章基本放大电路（晶体管、场效应管放大电路及其派生电路）$