本文主要是介绍SCM又添一个纯国产SSD玩家,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
“你中有我,我中有你。”计算与存储之间,一直以来就有着密不可分的关系。
在数字化变革的新时代,存储性能与计算性能的优化,对于众多企业级应用的改善必然可以带来更好的效果。
SCM,即Storage Class Memory存储级内存,不仅享有DRAM的性能表现,同时拥有NAND Flash的容量优点,这样一类兼得DRAM与NAND Flash优点的创新介质,具备存储级的持久化和内存快速字节级的访问的共性。
显然,SCM在IO设备与内存设备之间架起了一座彩虹桥,适合应用于对性能和可靠性要求较高的场景。在人工智能、物联网、大数据、云计算等创新技术融合式应用发展的今天,SCM创新介质的出现,带来了计算存储前所未有的新改变,越来越备受业界的关注。
不过,在SCM领域,英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND表现非常积极,最近一次的新闻却将东芝存储器的XL-Flash推向了市场的前台。
在8月初的美国加利福尼亚州举行的2019全球闪存峰会(Flash Memory Summit)上,北京忆恒创源科技有限公司(Memblaze)在现场展示了业界首款基于东芝XL-Flash的SCM闪存介质的NVMe SSD原型产品Memblaze PBlaze X26。
东芝存储器公开信息显示,XL-Flash的延迟不会超过5微秒,相比现在3D TLC闪存的50微秒左右延迟,拥有足足10倍的更佳表现。需要指出的是,XL-FLASH的本质还是3D NAND,并且是SLC,从材料的角度XL-FLASH似乎并不属于上文谈到的SCM范畴,但是从延迟等参数看确和SCM在同一量级。
所以也可以看到PBlaze X26超低延迟的效果。现场展示的PBlaze5 X26系列SSD原型产品,已能够实现低于10μs的4K随机写入延迟、以及平均低至26μs的4K混合读写延迟。在市场定位上,这是一款明显与英特尔傲腾(Optane)SSD 对标的国产化SSD产品。
Memblaze相关高层透露,PBlaze X26系列SSD不仅性能上更加出众,超低延迟表现更佳,同时售价也将更为平易近人。目前PBlaze X26正在和部分战略合作伙伴进行应用测试,预计在2020年会发布详细的产品计划。
业内人士分析认为,一旦PBlaze X26系列SSD进入商用市场,那么势必可以带来企业级用户关键业务应用领域的新改变,更有助于加快企业用户在数字化转型的速度,实现数据存储与计算领域更多创新方案的诞生。
既然提到了采用东芝XL-FLASH的SCM介质来实现PBlaze5 X26 NVMe SSD的创新,那么这里还需要提一下来自Memblaze的增强型多命名空间管理技术,因为这个技术实现了DRAM、NAND Flash、SCM等不同介质的统一的管理,并且可以对多个命名空间分配不同的资源,实现命名空间之间的性能隔离。
Memblaze在FMS2019上现场演示了多命名空间混合介质管理技术的效果。演示方案在MySQL场景下进行,在采用该项技术的测试案例中,工程师对一块PBlaze5 910 NVMe SSD 设置了2个 Namespace,其中包括在 DRAM 上设置了一个64MB 的Namespace。与预期一样,当MySQL的Double write buffer被放在DRAM的命名空间上时,系统性能得到30%以上的提升,同时NAND的数据写入量有了大幅下降(如下图)。
可见,增强型多命名空间管理技术在MySQL场景下具备明显的优化效果,通过固件统一管理DRAM介质和NAND介质命名空间,提供统一的接口给主机端, 这个方案充分利用了多种存储介质的不同特性,实现NVMe SSD性能的明显提升。
Memblaze这个演示方案非常典型,数据库往往是一个企业最为关键的应用,增强型多命名空间技术目前可以在DRAM、NAND Flash介质上实现数据库应用的性能优化,后面也会基于东芝XL-FLASH的SCM介质来进一步实现优化的创新。
为此,特别期待超低延迟的PBlaze5 X26 NVMe SSD方案能早日进入市场。
(Aming)
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