【JESD79-5之】4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-32(tDQS2DQ offset due to temperature and voltage variation)

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4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-32

4.32 因温度和电压变化导致的tDQS2DQ偏移

4.32 因温度和电压变化导致的tDQS2DQ偏移

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随着SDRAM芯片上温度和电压的变化，DQS时钟树将会发生偏移，可能需要重新训练。振荡器通常用于测量在给定时间间隔内的延迟量（由控制器确定），使得控制器可以将训练的延迟值与稍后时间的延迟值进行比较。由于温度和电压变化，tDQS2DQQ偏移量的规范可以用于在振荡器无法用于控制tDQS2DQ时的情况下使用。

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注意1：tDQS2DQ的最大延迟变化与温度的关系。
注意2：tDQS2DQ的最大延迟变化与VDDQ和VDD的直流电压变化的关系。其中包括了在频率大于20MHz和最大电压为45mVpk-pk的条件下，从DC-20MHz一直到固定温度时VDDQ和VDD的交流噪声影响。在测试仪器的测量中假设VDDQ=VDD。

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注意1：tDQS2DQ的最大延迟变化与温度的关系。
注意2：tDQS2DQ的最大延迟变化与VDDQ和VDD的直流电压变化的关系。它包括了在频率大于20MHz和最大电压为45mVpk-pk的条件下，在芯片上固定温度下，从DC-20MHz的范围内VDDQ和VDD的交流噪声影响。在测试仪器测量中，假设VDDQ=VDD。

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