【JESD79-5之】11 IDD, IDDQ, IPP规格参数和测试条件 11.1 IDD, IPP and IDDQ测量条件11.2 IDD0, IDDQ0, IPP0模式11.3 IDD0F, IDDQ0F, IPP0F模式11.4 IDD2N, IDD2P, IDD3N, IDD3P模式11.5 IDD2NT, IDDQ2NT, IPP2NT, IDD3NT, IDDQ3NT, IP

本标准定义了DDR5 SDRAM规范，包括特性、功能、交流和直流特性、封装以及球/信号分配。本标准旨在为x4、x8和x16 DDR5 SDRAM设备定义符合JEDEC标准的8 Gb至32 Gb的最低要求。该标准是基于DDR4标准（JESD79-4）和DDR、DDR2、DDR3和LPDDR4标准的一些方面（JESD79、JESD79-2、JESD79.3和JESD209-4）创建的。 下载链接：

4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-32 4.32 因温度和电压变化导致的tDQS2DQ偏移 4.32 因温度和电压变化导致的tDQS2DQ偏移 随着SDRAM芯片上温度和电压的变化，DQS时钟树将会发生偏移，可能需要重新训练。振荡器通常用于测量在给定时间间隔内的延迟量（由控制器确定），使得控制器可以将训练的延迟值与稍后时间的延迟值进行比较。由于温度和电压变化，tDQS2