本文主要是介绍【JESD79-5之】11 IDD, IDDQ, IPP规格参数和测试条件(IDD, IDDQ, IPP Specification Parameters and Test conditions),希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
【JESD79-5之】11 IDD, IDDQ, IPP规格参数和测试条件
- 11.1 IDD, IPP and IDDQ测量条件
- 11.2 IDD0, IDDQ0, IPP0模式
- 11.3 IDD0F, IDDQ0F, IPP0F模式
- 11.4 IDD2N, IDD2P, IDD3N, IDD3P模式
- 11.5 IDD2NT, IDDQ2NT, IPP2NT, IDD3NT, IDDQ3NT, IPP3NT模式
- 11.6 IDD4R, IDDQ4R, IPP4R模式
- 11.7 IDD4W, IDDQ4W, IPP4W模式
- 11.8 IDD5模式
- 11.9 IDD5B, IDDQ5B and IPP5B模式
- 11.10 IDD5C, IDDQ5C and IPP5C模式
- 11.11 IDD6模式
- 11.12 IDD7, IDDQ7 and IPP7模式
11.1 IDD, IPP and IDDQ测量条件
在本章中,定义了IDD、IPP和IDDQ测量条件,如测试负载和模式。
图213显示了IDD、IPP和IDDQ测量的设置和测试负载。
IDD电流(如IDD0, IDDQ0, IPP0, IDD0F, IDDQ0F, IPP0F, IDD2N, IDDQ2N, IPP2N, IDD2NT,IDDQ2N, IPP2N, IDD3P, IDDQ3N, IPP3N, IDD3P, IDDQ3N, IPP3N, IDDQ4R, IDDQ4W, IPP4W, IDD4W, IDDQ4W, IPP4W, IDD5F, IDDQ5F, IPP5F, IDD5B, IDDQ5B,IPP5B, IDD6N, IDD6E, IDDQ6E, IPP6E, IDD7, IDDQ7, IPP7, IDD8, IDDQ8, IPP8)测量为时间平均电流,将DDR5 SDRAM的所有VDD球连在一起。IDD电流不包括IDDQ电流和IPP电流。
IDDQ电流是将被测DDR5 SDRAM的所有VDDQ球连在一起,以时间平均电流测量的。IDDQ电流不包括任何IDD或IPP电流。
IPP电流是将被测DDR5 SDRAM的所有VPP球连在一起时测量的时间平均电流。任何IDD或IDDQ电流都不包括在IPP电流中。
注意:IDDQ值不能直接用于计算DDR5 SDRAM的IO功率。它们可用于支持模拟IO功率与实际IO功率的相关性,如图214所示。
对于IDD、IPP和IDDQ测量,适用以下定义:
“0”和“LOW”定义为VIN <= VILAC(max)。
“1”和“HIGH”定义为VIN >= VIHAC(min)。
“MID-LEVEL”定义为输入VREF = 0.75 * VDDQ。
表TBD提供了用于IDD、IPP和IDDQ测量环模式的时序。
基本IDD、IPP和IDDQ测量条件如表491所示。
详细的IDD、IPP和IDDQ测量环模式见表492至502。
在正确初始化和训练DDR5 SDRAM后进行IDD测量。这包括但不限于设置:
RON = RZQ/7 (MR5为34欧姆);
RTT_NOM = RZQ/6 (MR35为40欧姆);
RTT_WR = RZQ/2 (MR34为120欧姆),仅在IDD4和IDD7测量期间,RTT_OFF用于所有 其他IDD测量;
RTT_PARK =禁用在MR33和MR34;
Qoff = 0B(输出缓冲区启用)在MR5;
MR5禁用TDQS_t;
MR50禁用CRC;
MR5禁用DM;
MR2启用1N模式,除非IDD、IDDQ和IPP模式的条件定义中另有规定;
注意:在开始实际的IDD、IDDQ或IPP测量之前,至少需要执行一次IDD、IPP和IDDQ测量循环模式。
TCASE定义为0 - 95°C,除非表491中另有说明。
对于所有IDD、IDDQ和IPP测量回路时序参数,请参考规范中定义的时序参数来计算所需的nCK。
11.2 IDD0, IDDQ0, IPP0模式
在运行所有bank、BG和CID地址时,以最紧凑的时序执行激活和预充电命令。
11.3 IDD0F, IDDQ0F, IPP0F模式
在运行所有bank、BG和CID地址时,每个tRC时间执行四个Active和PreCharge命令。
11.4 IDD2N, IDD2P, IDD3N, IDD3P模式
在以预定义的模式运行所有C/A频脚时,执行DESELECT命令。
11.5 IDD2NT, IDDQ2NT, IPP2NT, IDD3NT, IDDQ3NT, IPP3NT模式
在运行所有C/A bits时,执行Non-Target WRITE命令模拟Rank to Rank时序。
11.6 IDD4R, IDDQ4R, IPP4R模式
在运行所有bank、BG和CID地址时,以最紧凑的时序执行READ命令。
11.7 IDD4W, IDDQ4W, IPP4W模式
在运行所有bank、BG和CID地址时,以最紧凑的时序执行WRITE命令。
11.8 IDD5模式
以最小的tREFI1执行Refresh(所有banks)命令。
11.9 IDD5B, IDDQ5B and IPP5B模式
以最小的tRFC1执行Refresh(所有banks)命令。
11.10 IDD5C, IDDQ5C and IPP5C模式
以最小的tRFCsb执行Refresh(同一bank)命令。
11.11 IDD6模式
11.12 IDD7, IDDQ7 and IPP7模式
在运行所有bank、BG和CID地址时,以最紧凑的时序执行ACTVATE, READ/A命令。
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