【JESD79-5之】11 IDD, IDDQ, IPP规格参数和测试条件(IDD, IDDQ, IPP Specification Parameters and Test conditions)

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【JESD79-5之】11 IDD, IDDQ, IPP规格参数和测试条件

  • 11.1 IDD, IPP and IDDQ测量条件
  • 11.2 IDD0, IDDQ0, IPP0模式
  • 11.3 IDD0F, IDDQ0F, IPP0F模式
  • 11.4 IDD2N, IDD2P, IDD3N, IDD3P模式
  • 11.5 IDD2NT, IDDQ2NT, IPP2NT, IDD3NT, IDDQ3NT, IPP3NT模式
  • 11.6 IDD4R, IDDQ4R, IPP4R模式
  • 11.7 IDD4W, IDDQ4W, IPP4W模式
  • 11.8 IDD5模式
  • 11.9 IDD5B, IDDQ5B and IPP5B模式
  • 11.10 IDD5C, IDDQ5C and IPP5C模式
  • 11.11 IDD6模式
  • 11.12 IDD7, IDDQ7 and IPP7模式

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11.1 IDD, IPP and IDDQ测量条件

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在本章中,定义了IDD、IPP和IDDQ测量条件,如测试负载和模式。
图213显示了IDD、IPP和IDDQ测量的设置和测试负载。

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IDD电流(如IDD0, IDDQ0, IPP0, IDD0F, IDDQ0F, IPP0F, IDD2N, IDDQ2N, IPP2N, IDD2NT,IDDQ2N, IPP2N, IDD3P, IDDQ3N, IPP3N, IDD3P, IDDQ3N, IPP3N, IDDQ4R, IDDQ4W, IPP4W, IDD4W, IDDQ4W, IPP4W, IDD5F, IDDQ5F, IPP5F, IDD5B, IDDQ5B,IPP5B, IDD6N, IDD6E, IDDQ6E, IPP6E, IDD7, IDDQ7, IPP7, IDD8, IDDQ8, IPP8)测量为时间平均电流,将DDR5 SDRAM的所有VDD球连在一起。IDD电流不包括IDDQ电流和IPP电流。
IDDQ电流是将被测DDR5 SDRAM的所有VDDQ球连在一起,以时间平均电流测量的。IDDQ电流不包括任何IDD或IPP电流。
IPP电流是将被测DDR5 SDRAM的所有VPP球连在一起时测量的时间平均电流。任何IDD或IDDQ电流都不包括在IPP电流中。

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注意:IDDQ值不能直接用于计算DDR5 SDRAM的IO功率。它们可用于支持模拟IO功率与实际IO功率的相关性,如图214所示。

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对于IDD、IPP和IDDQ测量,适用以下定义:
“0”和“LOW”定义为VIN <= VILAC(max)。
“1”和“HIGH”定义为VIN >= VIHAC(min)。
“MID-LEVEL”定义为输入VREF = 0.75 * VDDQ。
表TBD提供了用于IDD、IPP和IDDQ测量环模式的时序。
基本IDD、IPP和IDDQ测量条件如表491所示。
详细的IDD、IPP和IDDQ测量环模式见表492至502。
在正确初始化和训练DDR5 SDRAM后进行IDD测量。这包括但不限于设置:
RON = RZQ/7 (MR5为34欧姆);
RTT_NOM = RZQ/6 (MR35为40欧姆);
RTT_WR = RZQ/2 (MR34为120欧姆),仅在IDD4和IDD7测量期间,RTT_OFF用于所有	其他IDD测量;
RTT_PARK =禁用在MR33和MR34;
Qoff = 0B(输出缓冲区启用)在MR5;
MR5禁用TDQS_t;
MR50禁用CRC;
MR5禁用DM;
MR2启用1N模式,除非IDD、IDDQ和IPP模式的条件定义中另有规定;
注意:在开始实际的IDD、IDDQ或IPP测量之前,至少需要执行一次IDD、IPP和IDDQ测量循环模式。
TCASE定义为0 - 95°C,除非表491中另有说明。
对于所有IDD、IDDQ和IPP测量回路时序参数,请参考规范中定义的时序参数来计算所需的nCK。

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11.2 IDD0, IDDQ0, IPP0模式

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在运行所有bank、BG和CID地址时,以最紧凑的时序执行激活和预充电命令。

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11.3 IDD0F, IDDQ0F, IPP0F模式

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在运行所有bank、BG和CID地址时,每个tRC时间执行四个Active和PreCharge命令。

11.4 IDD2N, IDD2P, IDD3N, IDD3P模式

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在以预定义的模式运行所有C/A频脚时,执行DESELECT命令。

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11.5 IDD2NT, IDDQ2NT, IPP2NT, IDD3NT, IDDQ3NT, IPP3NT模式

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在运行所有C/A bits时,执行Non-Target WRITE命令模拟Rank to Rank时序。

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11.6 IDD4R, IDDQ4R, IPP4R模式

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在运行所有bank、BG和CID地址时,以最紧凑的时序执行READ命令。

11.7 IDD4W, IDDQ4W, IPP4W模式

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在运行所有bank、BG和CID地址时,以最紧凑的时序执行WRITE命令。

11.8 IDD5模式

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以最小的tREFI1执行Refresh(所有banks)命令。

11.9 IDD5B, IDDQ5B and IPP5B模式

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以最小的tRFC1执行Refresh(所有banks)命令。

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11.10 IDD5C, IDDQ5C and IPP5C模式

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以最小的tRFCsb执行Refresh(同一bank)命令。

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11.11 IDD6模式

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11.12 IDD7, IDDQ7 and IPP7模式

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在运行所有bank、BG和CID地址时,以最紧凑的时序执行ACTVATE, READ/A命令。

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