tdqs2dq专题

【JESD79-5之】4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-32(tDQS2DQ offset due to temperature and voltage variation)

4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-32 4.32 因温度和电压变化导致的tDQS2DQ偏移 4.32 因温度和电压变化导致的tDQS2DQ偏移 随着SDRAM芯片上温度和电压的变化,DQS时钟树将会发生偏移,可能需要重新训练。振荡器通常用于测量在给定时间间隔内的延迟量(由控制器确定),使得控制器可以将训练的延迟值与稍后时间的延迟值进行比较。由于温度和电压变化,tDQS2