点击蓝字关注我们 关注、星标公众号，精彩内容每日送达来源：网络素材 华为海思麒麟9000S的面市，预示着中国已经可以使用 DUV 光刻技术实现了 7 纳米级节点的芯片制造，这提出了一个问题：通过多重曝光方法，DUV 光刻技术能走多远？ 据国外科技媒体semiwiki报道，CSTIC 2023的最新发表指出，中国研究小组目前正在考虑将基于 DUV 的多重图案化扩展到 5 纳米，甚至考虑在一层使用

在晶圆代工市场中，台积电与三星的竞争始终是大家所关心的戏码。其中，三星虽然有高通这样的VIP 客户，但在 7 纳米制程节点上，高通预计会转投回台积电的情况下，三星要想受到更多的客户的青睐，只能从工艺技术上着手了。 这也是三星为什么跳过非 EUV 技术的 7 纳米制程，直接上 7 纳米 LPP EUV 制程技术的原因。如今，三星终于公布了他的 7 纳米 LPP 制程已经完成了新斯科技(Synops

在晶圆代工市场，台积电与三星的竞争始终是大家关心的戏码。三星虽然有高通等VIP客户，但在7纳米制程节点，高通预计会转投台积电，三星要想受更多客户的青睐，只能从制程技术着手了。这也是三星为什么跳过非EUV技术的7纳米制程，直接上7纳米LPPEUV制程技术的原因。如今，三星终于公布了7纳米LPP制程已完成新思科技(Synopsys)物理认证，意味着7纳米EUV制程将可全球量产了。 目前全球前几大晶

DUV LED最新研究成果----电极互连模型和多峰模型 成果1：电极互连模型 基于Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，我司技术团队提出了具有基于远程金属反射镜的空腔提取器的DUV LED器件（i.e., Device 3）。下图表明：相较于传统器件（i.e., Device R）和含有金属反射镜的侧壁倾斜结构（i.e., Device 1），Device 3的光功率得到大幅度提

光刻机作为生产制造半导体芯片的关键设备，其技术和先进程度直接影响着芯片的工艺和性能，比如说目前非常热门的7nm级芯片，台积电和三星基本都采用ASML生产的EUV光刻机来制造，产能也开始趋于稳定，然而，很多人可能认为想要造7nm芯片就只能靠EUV光刻机，其实使用传统的DUV光刻机也是可以制造的。 仅仅从价格上来说，DUV光刻机就比EUV光刻机便宜太多了，像ASML生产的一台EUV光刻机价格可能高