本文主要是介绍DUV LED最新研究成果----电极互连模型和多峰模型，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
DUV LED最新研究成果----电极互连模型和多峰模型
成果1：电极互连模型
基于Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，我司技术团队提出了具有基于远程金属反射镜的空腔提取器的DUV LED器件（i.e., Device 3）。下图表明：相较于传统器件（i.e., Device R）和含有金属反射镜的侧壁倾斜结构（i.e., Device 1），Device 3的光功率得到大幅度提升，这主要得益于金属反射镜对光的吸收减弱，倾斜侧壁的全内反射效应增强，光逃逸路径增加，提高了器件光提取效率。此外，技术团队基于APSYS软件成功开发出了含有倾斜结构且电极互连模型，揭示了载流子及辐射复合率在有源区内的分布，为进一步地优化器件性能提供了重要的科研思路。该研究成果极大程度上丰富了研究人员对DUV LED的理解，为高性能的DUV LED器件的制备提供了重要的研究思路。
（Optics Express 28(11), pp. 17035-17046, 2020.）
成果2：多峰模型
基于Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，我司技术团队成功开发了LED器件多发光峰模型，见下图中插图，该模型的成功开发有助于研究人员更好地分析实验过程观测到的测量光谱中存在的寄生峰现象，为分析器件物理提供了重要的参考价值。基于此模型，我司技术团队还揭示了漏电流对DUV LED器件效率衰减现象（Efficiency
Droop）的影响。同时，技术团队针对性地引入极化隧穿结（i.e., p±GaN/In0.15Ga0.85N/n±GaN），以此来提高空穴的注入效率，从而减小器件的漏电流，降低效率衰减。该模型的成功开发可以更好地帮助研究人员了解器件内部载流子的注入效率，从而有针对性地设计器件结构来改善器件性能。
（On the impact of electron leakage on the efficiency
droop for AlGaN based deep ultraviolet emitting diodes. IEEE
Photonics Journal, 2020, DOI: 10.1109/JPHOT.2020.2997343.）
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