解析/区分MOS管的三个引脚G、S、D(NMOS管和PMOS管)

2024-03-03 14:04

本文主要是介绍解析/区分MOS管的三个引脚G、S、D(NMOS管和PMOS管),希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

 MOS管的三个引脚分别是Gate(栅极)、Source(源极)和Drain(漏极)。以下是详细介绍:

  • Gate(栅极)。这是控制MOS管开关的关键引脚,用于控制电流的流通。
  • Source(源极)。这是电流流入的引脚,通常与MOS管的负极连接。
  • Drain(漏极)。这是电流流出的引脚,与外部电路的正极相连。

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。

查阅下图可快速判断MOS管的三个引脚是什么

首先需要判断是NMOS管还是PMOS管,注意下图的电流走向。

场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。

这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体。

判断是NMOS还是PMOS

在区分这三个引脚时,可以通过测量它们的电阻值来判断是N型还是P型MOS管。如果阻值较大,则表明是N型;如果阻值较小,则表明是P型。具体操作是,将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极。

判断栅极G

MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,MOS管发烧严峻,易热损坏MOS管GS间存在一定电容,假如G信号驱动能力不够,将严峻影响波形跳变的时间。

将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G极,由于它和另外两个管脚是绝缘的。

判断源极S、漏极D

将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。因为测试前提不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管

它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

优质的MOS管可以接受的电流峰值更高。普通状况下我们要判别主板上MOS管的质量上下,能够看它能接受的最大电流值。影响MOS管质量上下的参数十分多,像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数,所以在MOS管外表普通只标注了产品的型号,我们能够依据该型号上网查找详细的性能参数。还要阐明的是,温度也是MOS管一个十分重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的进步,MOS管需求接受的电流也随着加强,提供近百A的电流曾经很常见了。如此宏大的电流经过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的平安,高质量主板也开端为MOS管加装散热片了。

MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。

  有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

  在一般电子电路中,通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中,MOSFET扮演的角色主要是判断电位,它在主板上常用“Q”加数字表示。

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