一. MOS管简介 MOS管是场效应管的一种，主要有两种结构形式：N沟道和P沟道，又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流，VGS>VGS(th)的时候才会导通）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。 MOS管的管脚有三个：源极S，栅极G

PMOS和NMOS的区分： http://jingyan.baidu.com/article/ceb9fb10c220a18cac2ba045.html http://wenku.baidu.com/link?url=UQNWJ2o50mUcC-zb4B_vz3yPNGiBBh7OQXWj9eQ27MaM8V6cZYyg_4wy_H3UQYofGlnIWqHY1-XeocQpFOP-W3

这个其实是NPN三极管的原理图，但是将电流改成电压之后也能通俗地解释NMOS的工作原理：B级和E级之间的电压超过导通电压之后C级和E级导通，导通电阻根据不同的NMOS管型号而变。导通之后C级和E级之间会有电流，如果负载放在E级下面会导致E级的电压升高可能会导致B级和E级的压差降低到导通电压一下，所以负载最好放在C级上面。（注意B、C、E都是三极管上的，MOS管上分别是G、D、S）

MOS管的三个引脚分别是Gate（栅极）、Source（源极）和Drain（漏极）。以下是详细介绍： Gate（栅极）。这是控制MOS管开关的关键引脚，用于控制电流的流通。Source（源极）。这是电流流入的引脚，通常与MOS管的负极连接。Drain（漏极）。这是电流流出的引脚，与外部电路的正极相连。 晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-c

8205A8,8205A6采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。8205A8,8205A6是一颗双N沟道的低内阻场效应MOS管。双MOS的D极内部是连接在一起的。 8205A8采用TSSOP8封装; 8205A6C采用SOT23-6封装。 8205A8,8205A6常常于DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。   8205A8

引言：无论是常规的低侧NMOS防反接电路还是高侧的PMOS防反接电路均有其局限性。本节简述采用驱动IC加NMOS的方案做防反电路的设计及其优点。 1、高边NMOS防反         PMOS的高边防反接使用自驱效应，但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患，并且PMOS价格偏高，几乎没有使用驱动IC+PMOS高边防反这种设计，所以为了均衡价格因素和Rdson，消除待机电流偏大和电流

文章目录 怎样更好地区别PMOS和NMOS四个端口分类和区别状态变化的条件增强和耗尽型PMOS和NMOS的通断 从CMOS电路重新认识两种元件 怎样更好地区别PMOS和NMOS 四个端口 图中可以很清晰地看到四个端口，首先要明确DBS三个端构成一个背靠背的PN结。 S端：源极(Source)，载流子的来向 D端：漏极(Drain)，载流子的去向G端，栅极(Gate)，栅

PMOS管：箭头指向外的为Pmos管，PMOS管低电平导通，需要上拉电阻 NMOS管：箭头指向内的为NMOS管，NMOS管高电平导通，需要下拉电阻

这个是N沟道增强型MOS管的电路符号， 这个是P沟道增强型MOS管的电路符号，有时我们很容易把这两个符号弄混。 首先对于单个MOS管而言内部衬底和源极是接在一起的，所以我们看到的MOS管电路符号，源极和衬底是接在一起的，并且这个箭头处的电极为衬底。 NMOS和PMOS电路符号最大的差异就是衬底这个箭头的方向，对于NMOS管，箭头方向指向栅极，对于PMOS管，箭头方向背向栅极。