一、共源级PMOS反向串联结构如下图： 二、具体分析     1、当VBUS_EN拉低，三极管Q5截止：         如果V-BUS>GEN_5V, T3体二极管阴极电压大于阳极电压，T3体二极管截止。由于上拉电阻R24将S端电压向G端极间电容充电，使得Vg=Vs，Vgs=0。两个Pmos都关断，V-BUS与GEN_5V断开。         如果V-BUS< GEN_5V,T2体

一. MOS管简介 MOS管是场效应管的一种，主要有两种结构形式：N沟道和P沟道，又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流，VGS>VGS(th)的时候才会导通）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。 MOS管的管脚有三个：源极S，栅极G

PMOS和NMOS的区分： http://jingyan.baidu.com/article/ceb9fb10c220a18cac2ba045.html http://wenku.baidu.com/link?url=UQNWJ2o50mUcC-zb4B_vz3yPNGiBBh7OQXWj9eQ27MaM8V6cZYyg_4wy_H3UQYofGlnIWqHY1-XeocQpFOP-W3

当电源电压大于PMOS 管的最大栅源电源时，不能直接把栅极拉到地，需要一点特殊的电路来限制栅极驱动电压。有的地方是用电阻分压器做的，比如这种： NPN 三极管导通时，MOS 管栅极电压是两个电阻中间的电压。这种设计最大的缺点就是太慢了，要使MOS 管导通，只能通过电阻缓慢给栅极充电。如果需要更快的开启速度，可以考虑用大伙都知道的射极输出器电路，如下： 栅极驱动电压通过6.8V 稳压管D

NCP361SNT1G能够在检测到错误 VBUS 运行情况时将系统从其输出引脚断开。该系统受高达 +20 V 的正向过电压保护。由于集成的 PMOS FET，无需外部器件，降低了系统成本和应用主板中的 PCB 面积。如果输入电压超过过电压阈值 (OVLO)，NCP361 则能够瞬变将输出与输入断开。由于过电流保护，当充电电流超过电流限值时，集成的 PMOS 将关断。提供了负向标志 (FLAG) 输

MOS管的三个引脚分别是Gate（栅极）、Source（源极）和Drain（漏极）。以下是详细介绍： Gate（栅极）。这是控制MOS管开关的关键引脚，用于控制电流的流通。Source（源极）。这是电流流入的引脚，通常与MOS管的负极连接。Drain（漏极）。这是电流流出的引脚，与外部电路的正极相连。 晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-c

文章目录 怎样更好地区别PMOS和NMOS四个端口分类和区别状态变化的条件增强和耗尽型PMOS和NMOS的通断 从CMOS电路重新认识两种元件 怎样更好地区别PMOS和NMOS 四个端口 图中可以很清晰地看到四个端口，首先要明确DBS三个端构成一个背靠背的PN结。 S端：源极(Source)，载流子的来向 D端：漏极(Drain)，载流子的去向G端，栅极(Gate)，栅

PMOS管：箭头指向外的为Pmos管，PMOS管低电平导通，需要上拉电阻 NMOS管：箭头指向内的为NMOS管，NMOS管高电平导通，需要下拉电阻

这个是N沟道增强型MOS管的电路符号， 这个是P沟道增强型MOS管的电路符号，有时我们很容易把这两个符号弄混。 首先对于单个MOS管而言内部衬底和源极是接在一起的，所以我们看到的MOS管电路符号，源极和衬底是接在一起的，并且这个箭头处的电极为衬底。 NMOS和PMOS电路符号最大的差异就是衬底这个箭头的方向，对于NMOS管，箭头方向指向栅极，对于PMOS管，箭头方向背向栅极。

防反接 电源自动切换