射频阻抗是用共面参考模型还是平面参考模型？PCB共面阻抗是怎么控的

来自群友的疑难杂症（加杨老师V信：PCB206 可入群）：射频阻抗是用共面参考模型还是平面参考模型？PCB共面阻抗是怎么控的？

答：两者都可以，具体看设计情况，一般能用平面参考满足要求就不要去用共面阻抗去满足要求。

很多设计师清楚的知道射频要进行50欧姆阻抗的控制，但很多情况不知道用哪种参考模型？在共面和平面隔层参考中犹豫不决，这里杨老师就进行较为详细的阐述，希望大家能一起交流探讨下

第一点：当平面参考满足不了设计时，我们选择共面阻抗控制。

首先来说说两层板的射频阻抗控制，按常规1.2MM，1.6MM，2MM去计算的话，你会发现合适理想的线宽会达不到阻抗的要求，要满足达到要求的50欧姆阻抗控制 则线宽非常的宽，设计中基本不太可能实现，感兴趣的群友可以用SI9000去验证下。这个时候共面阻抗就相当有必要了，它可以完美的解决阻抗控制和线宽之间的协调关系，从而实现信号完好的传输，我们也可以从很多RF芯片的推荐设计中看到这一种模型

第二点：平面参考可以满足射频50欧姆阻抗控制，但是微带线中还有其他不同线宽阻抗线要求时，这个时候射频50欧姆仍然需要用到共面阻抗。这里最典型的就是四层板。

比如既有DDR，又有RF射频信号的四层板。射频信号一般会走表层，做隔层参考即是参考第三层POWER03，那么在计算阻抗时射频信号距离其参考层很大，算出来的线宽都超过100mil  显然不符合设计。这个时候群友提出了不做隔层参考  将表层和第二层的间距调整至10mil的样子  射频线走17.5mil不就刚好满足要求了吗？17.5的线宽，50欧姆的阻抗，射频信号参考相邻层，已经非常符合射频信号的线宽和阻抗要求了，已经不需要隔层参考。但是，表层ddr的数据线和地址线也是参考相邻层做50欧姆阻抗，ddr这么密集的走线走17.5的线宽合适吗？肯定不合适！

此时就出现了RF射频用共面阻抗 隔层参考，其他需要控制阻抗的如DDR等信号则正常参考第二层，做单端50欧姆阻抗控制.

第三点：一般能用平面参考满足要求就不要去用共面阻抗去满足要求。

我们在使用共面阻抗模型的时候，与之相邻的GND需要很靠近射频RF信号，因为本身是为了阻抗控制做的共面就不用担心RF信号太靠近阻抗变化的问题。其实平面参考优于共面参考的原因是衰减；表层的铺地事实上是将一部分 RF 信号能量耦合到了地上，造成了一定的损耗。如果天线走线与附近的地太近的话，就会产生寄生电容，（天线与附近地之间的电容），同时走线上会存在寄生电感，这样寄生电感与寄生电容组成了LC的低通滤波，对高频的衰减很大。这里大家可以用仿真软件计算下或者对GND与射频不同距离进行仿真就能得出这个结论了。

当然这里并不是表示共面阻抗不能用了，而是在能满足设计要求的情况下，平面参考还是要优于共面参考的。杨老师这里还有一个特别注意：若隔层参考做平面阻抗控制的时候，同层的GND要离射频要有一定的距离，至少1倍射频线宽的空气间距，不然无论你的阻抗控制还是衰减都是有影响的。

另外往期关于射频的文章也写了一些  感兴趣的可以多多了解相关知识杨老师专治PCB疑难杂症系列文章了解