数字逻辑电路入门:从晶体管到逻辑门

2024-01-06 11:52

本文主要是介绍数字逻辑电路入门:从晶体管到逻辑门,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

数字逻辑电路入门:从晶体管到逻辑门

这是数字逻辑电路中最基础的部分。但是并非那么容易理解。

1、晶体管

  1. mosfet:场效应晶体管,是电压控制元件。
  2. cmos:是指由mos管构成的门级电路通常是互补的。
  3. BJT:一种三极管,是电流控制元件,用来放大电流,功耗大于mos管。
  4. nmos:衬底是p型半导体,源极和漏极是n型掺杂区域。适合用来导通低电压,不适合导通高电压。
  5. pmos:和nmos相反,衬底是n型半导体,源极和漏极是p型掺杂区域。适合用来导通高电压,不适合导通低电压。
  6. pmos用在上拉网络,nmos用在下拉网络。

2、逻辑门

互补传导规则:nmos串联,pmos必须并联;nmos并联,pmos必须串联。保证上拉网络和下拉网络不会同时导通,即不出现短路。

  1. 非门:输入a,输出y,消耗2个晶体管
    1. 一个pmos,栅极接a,源极接vcc,漏极接y
    2. 一个nmos,栅极接a,源级接y,漏极接gnd
    3. 分析,a=1,mos的栅极上表面聚集正电荷,下表面聚集负电荷。pmos衬底是n型半导体,本身有自由电子,因此源极和漏极仍然断开。nmos衬底是p型半导体,本身有自由空穴,聚集负电荷之后,源极和漏极接通,因此y=0。
  2. 与门:消耗6个晶体管
    1. 一个与非门
    2. 级联一个非门
  3. 或门:消耗6个晶体管
    1. 一个或非门
    2. 级联一个非门
  4. 或非门:消耗4个晶体管
    1. 两个pmos串联,栅极接a,b,源极接vcc,漏极接y
    2. 两个nmos并联,栅极接a,b,源极接vcc,漏极接y
    3. 分析,a=0,b=0,pmos均导通,nmos均断开,y=1;a、b有一个为1,下拉网络导通,上拉网络断开,y=0
  5. 与非门:消耗4个晶体管
    1. 两个pmos并联,栅极接a,b,源极接vcc,漏极接y
    2. 两个nmos串联,栅极接a,b,源极接vcc,漏极接y
    3. 分析,a=1,b=1,pmos均断开,nmos均导通,y=0;a、b有一个为0,下拉网络断开,上拉网络导通,y=1
  6. 异或门:
    1. 实现方式两种,一个使用10个晶体管,一个使用12个晶体管
    2. 参考:COMS门电路的设计及其优化–以异或门为例
  7. 同或门
  8. 三态门

3、卡诺图化简

以下图为例:

image-20240104222749508
  1. 画出卡诺图,注意格雷码序;
  2. 画圈:
    1. 从大到小画圈,16格、8格、4格、2格、1格;
    2. 每个圈都要圈住1,最终圈住所有1;
    3. 可环绕画圈。
  3. 写出SOP(sum-of-products)
    1. 每个圈代表一个product,读法是“相异相消”;
    2. 将所有product相加;
    3. Y = b+c+a;(按照红、绿、蓝的顺序写的product)
  4. 补充:“相异相消”
    1. 比如 Y = A B + A B ˉ = A ( B + B ˉ ) = A Y = AB+A \bar B = A(B+\bar B) = A Y=AB+ABˉ=A(B+Bˉ)=A
    2. B + B ˉ = 1 B+\bar B =1 B+Bˉ=1恒成立;
    3. 圈中变量相异的,则无需管,相同的如实记录。
    4. 比如红圈,c相异,a相异,b相同且为1,则记录为b。

另一个例子:

image-20240104224105776
  1. 画圈
  2. 读SOP
    1. 红: b ˉ c ˉ \bar b \bar c bˉcˉ
    2. 绿: a ˉ d ˉ \bar a \bar d aˉdˉ
    3. 粉: a c d a cd acd
    4. 蓝: b c d bcd bcd
    5. Y = b ˉ c ˉ + a ˉ d ˉ + a c d + b c d Y= \bar b \bar c+\bar a \bar d+a cd+bcd Y=bˉcˉ+aˉdˉ+acd+bcd

可以想到:

  1. 圈1则是SOP
  2. 圈0则是POS
  3. 因此,谁少圈谁。
  4. 注意,圈0写出POS之后取反,利用布尔代数则得到圈0的POS。

4、复用器

使用逻辑门可以搭建一个复用器

  1. Y = D 0 S ˉ + D 1 S Y=D_0 \bar S + D_1 S Y=D0Sˉ+D1S
  2. 两个与门、一个非门、一个或门
  3. 优化:减少晶体管, Y = D 0 S ˉ + D 1 S = ( D ˉ 0 + S ) ( D 1 S ) ˉ Y = D_0 \bar S + D_1 S = (\bar D_0+S)\bar {(D_1S)} Y=D0Sˉ+D1S=(Dˉ0+S)(D1S)ˉ
  4. 一个与非门、一个与门、一个或门、一个非门

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