本文主要是介绍英飞凌IPW65R110CFDA车规MOS,原厂渠道ASEMI代理,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
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IPW65R110CFDA英飞凌MOS管参数:
型号:IPW65R110CFDA
连续漏极电流(ID):99.6A
功耗(Ptot):277.8W
贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-40 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS:650V
栅极阈值电压V(GS)th:4V
零栅极电压漏极电流(IDSS):1.5uA
栅源漏电流(IGSS):100nA
漏源导通电阻RDS(on):0.099Ω
输入电容(Ciss):2340pF
输出电容(Coss):160pF
二极管正向电压(VSD):0.9V
反向恢复时间(trr):150ns
IPW65R110CFDA提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时还提供了一个非常快速和坚固的体二极管。这种极低的开关损耗、换向损耗和传导损耗以及最高的稳健性相结合,使得谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更酷。
IPW65R110CFDA特征:
超快体二极管
极高的换向坚固性
由于FOM Rdson*Qg和Eoss非常低,因此损失极低
易于使用/驾驶
符合AEC Q101
绿色包装(符合RoHS标准),无铅电镀,模具化合物无卤素
IPW65R110CFDA应用:
650V CoolMOS TM CFDA专为开关应用而设计。
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:
Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。
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