编辑-Z IPW65R110CFDA英飞凌MOS管参数： 型号：IPW65R110CFDA 连续漏极电流（ID）：99.6A 功耗（Ptot）：277.8W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏极电流（IDSS）：1.5uA 栅源漏电流（IGSS）：100nA 漏源导通