asemi专题
QL5010-16-ASEMI逆变焊机专用整流桥QL5010
编辑：ll QL5010-16-ASEMI逆变焊机专用整流桥QL5010 型号：QL5010 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 批号：2024+ 类型：整流模块 电流：50A 电压：1600V 安装方式：直插式封装 特性：大功率、整流桥 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：MIL 工作结温：-40℃~150℃ 功率：50W 包装方式：500
SFF806A-ASEMI无人机专用SFF806A
编辑：ll SFF806A-ASEMI无人机专用SFF806A 型号：SFF806A 品牌：ASEMI 封装：ITO-220AB 批号：最新 最大平均正向电流（IF）：8A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：600V 最大正向电压（VF）：0.95V~0.90V 工作温度：-65°C~175°C 反向恢复时间：35ns 芯片个数：2 芯片尺寸：74mil 引脚数量：3
MURF860AC-ASEMI智能AI专用MURF860AC
编辑：ll MURF860AC-ASEMI智能AI专用MURF860AC 型号：MURF860AC 品牌：ASEMI 封装：TO-220AC 批号：最新 恢复时间：35ns 最大平均正向电流（IF）：8A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：600V 最大正向电压（VF）：0.95V~1.90V 工作温度：-65°C~175°C 芯片个数：2 芯片尺寸：mil 正向浪涌电流
MBR30100CT-ASEMI低压降肖特基MBR30100CT
编辑：ll MBR30100CT-ASEMI低压降肖特基MBR30100CT 型号：MBR30100CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 批号：最新 恢复时间：35ns 最大平均正向电流（IF）：30A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：100V 最大正向电压（VF）：0.70V~0.90V 工作温度：-65°C~175°C 芯片个数：2 芯片尺寸：mil 正向浪涌
MURF3040CTR-ASEMI智能AI应用MURF3040CTR
编辑：ll MURF3040CTR-ASEMI智能AI应用MURF3040CTR 型号：MURF3040CTR 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 恢复时间：35ns 最大平均正向电流（IF）：30A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：400V 最大正向电压（VF）：0.95V~1.90V 工作温度：-50°C~150°C 芯片个数：2 芯片尺寸：mil 正向浪涌电流（
MUR20100DC-ASEMI智能AI应用MUR20100DC
编辑：ll MUR20100DC-ASEMI智能AI应用MUR20100DC 型号：MUR20100DC 品牌：ASEMI 封装：TO-263 恢复时间：35ns 最大平均正向电流（IF）：20A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大正向电压（VF）：1.80V~2.00V 工作温度：-55°C~150°C 芯片个数：2 芯片尺寸：mil 正向浪涌电流（IFM
MBR60100PT-ASEMI逆变焊机专用MBR60100PT
编辑：ll MBR60100PT-ASEMI逆变焊机专用MBR60100PT 型号：MBR60100PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大平均正向电流（IF）：60A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：100V 最大正向电压（VF）：0.70V~0.90V 工作温度：-65°C~175°C 芯片个数：2 芯片尺寸：mil 正向浪涌电流（IFMS）：400A MBR
MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT
编辑：ll MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT 型号：MBR20100FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大平均正向电流（IF）：20A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：100V 最大正向电压（VF）：0.80V 工作温度：-65°C~175°C 芯片个数：2 芯片尺寸：mil 正向浪涌电流（IFMS）：200A MBR201
SS26A-ASEMI超低VF值肖特基SS26A
编辑：ll SS26A-ASEMI超低VF值肖特基SS26A 型号：SS26A 品牌：ASEMI 封装：SMA 最大平均正向电流（IF）：2A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：60V 最大正向电压（VF）：0.70V 工作温度：-50°C~125°C 反向恢复时间：5ns 芯片个数：1 芯片尺寸：50mil 正向浪涌电流（IFMS）：50A SS26A特性： 恢复时间
SF58-ASEMI适配器二极管SF58
编辑：ll SF58-ASEMI适配器二极管SF58 型号：SF58 品牌：ASEMI 封装：DO-27 最大平均正向电流（IF）：5A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：600V 最大正向电压（VF）：1.70V 工作温度：-55°C~150°C 反向恢复时间：35ns 芯片个数：2 芯片尺寸：72mil 引脚数量：2 正向浪涌电流（IFMS）：125A 包装方式：5
SF506DS-ASEMI开关电源二极管SF506DS
编辑：ll SF506DS-ASEMI开关电源二极管SF506DS 型号：SF506DS 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大平均正向电流（IF）：5A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：600V 最大正向电压（VF）：1.70V 工作温度：-55°C~150°C 反向恢复时间：35ns 芯片个数：1 芯片尺寸：72mil 正向浪涌电流（IFMS）：150A SF5
D92-03-ASEMI快恢复管D92-03参数
编辑-Z D92-03在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超低压降低功耗快恢复二极管。D92-03的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。D92-03采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。D92-03的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为400V，正向电压(VF)为1.05V，反向恢复时间为3
D92-02-ASEMI快恢复二极管20A 200V
编辑：ll D92-02-ASEMI快恢复二极管20A 200V 型号：D92-02 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：插件、快恢复二极管 最大平均正向电流：20A 最大重复峰值反向电压：200V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 最大正向压降：0.85V 芯片尺寸：120MIL 浪涌电流：200A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150
D92-02-ASEMI低压降快恢复二极管D92-02
编辑-Z D92-02在TO-247/3P封装里采用的2个芯片，是一款低压降快恢复二极管。D92-02的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。D92-02采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。D92-02的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.85V，其中有3条引线。 D92-02参数描
ASEMI快恢复二极管D92-03参数，D92-03封装，D92-03应用
编辑-Z ASEMI快恢复二极管D92-03参数： 型号：D92-03 最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：280V 最大直流阻断电压（VDC）：400V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：1
开关电源为什么需要ASEMI的D92-02快恢复二极管
编辑-Z D92-02快恢复二极管在开关电源中有两种作用，作为快速整流二极管和并联的续流二极管，用于保护IGBT等核心器件。那为什么说开关电源需要ASEMI的D92-02快恢复二极管呢？ D92-02参数描述 型号：D92-02 封装：TO-247/3P 特性：超快恢复二极管 电性参数：20A，200V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电
GBU3010-ASEMI开关电源整流桥GBU3010
编辑：ll GBU3010-ASEMI开关电源整流桥GBU3010 型号：GBU3010 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 特性：插件、整流桥 平均正向整流电流（Id）：30A 最大反向击穿电压（VRM）：1000V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压： 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.05V 芯片尺寸：160MIL 工作温度：-55℃~150℃
ASEMI整流模块MDC165-16的作用是什么
编辑-Z ASEMI整流模块MDC165-16的作用是什么？简单地说，MDC165-16是一种将交流电（AC）转换成直流电（DC）的设备。MDC165-16有两个主要功能：第一，把交流电（AC）转换成直流电（DC），经滤波并提供给负载或逆变器；第二，它提供充电电压到电池。因此，它也起到一个充电器的作用。 MDC165-16参数描述 型号：MDC165-16 封装：MDC 特性：单臂串
ASEMI的MOS管25N120在不同应用场景的表现
编辑-Z 根据其应用方式，MOS管25N120的主要作用是： 1、做放大管； 2、做高速管； 3、做电流镜管； 4、做开关。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-247 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 集电极电流（IC）：25A 栅极-发射极电压（VGES）：±20V 功耗（PD）：310W G-E漏电流（IGES）：±100nA G-
KBPC5010-ASEMI逆变器整流桥KBPC5010
编辑：ll KBPC5010-ASEMI逆变器整流桥KBPC5010 型号：KBPC5010 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 最大重复峰值反向电压：1000V 最大正向平均整流电流(Vdss)：50A 功率(Pd)：大功率 芯片个数：4 引脚数量：4 类型：插件整流桥、整流桥 正向浪涌电流：400A 正向电压：1.10V 最大输出电压（RMS）： 封装尺寸：如图
GBU3010-ASEMI火牛适配器专用整流桥GBU3010
编辑：ll GBU3010-ASEMI火牛适配器专用整流桥GBU3010 型号：GBU3010 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 最大重复峰值反向电压：1000V 最大正向平均整流电流(Vdss)：30A 功率(Pd)：大功率 芯片个数：4 引脚数量：4 类型：插件整流桥、整流桥 正向浪涌电流：350A 正向电压：1.10V 最大输出电压（RMS）： 封装尺寸：如图
KBP310-ASEMI小功率电源适配器KBP310
编辑：ll KBP310-ASEMI小功率电源适配器KBP310 型号：KBP310 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 正向电流（Id）：3A 反向耐压（VRRM）：1000V 正向浪涌电流：60A 正向电压（VF）：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：MIL 功率(Pd)：大功率设备 工作温度：-55°C~150°C 类型：插件整流桥 KBP310
MDS300-16-ASEMI整流模块MDS300-16参数、封装、尺寸
编辑：ll MDS300-16-ASEMI整流模块MDS300-16参数、封装、尺寸 型号：MDS300-16 品牌：ASEMI 封装：M25 最大重复峰值反向电压：1600V 最大正向平均整流电流(Vdss)：300A 功率(Pd)：大功率 芯片个数：6 引脚数量：5 类型：模块、大功率 正向浪涌电流：500A 正向电压：1.35V 最大输出电压（RMS）： 封装尺寸
MBR30100CT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR30100CT
编辑-Z MBR30100CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是122MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR30100CT的浪涌电流Ifsm为275A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR30100CT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR30100CT的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为100V，正向电压(VF)
D35XB80-ASEMI整流桥D35XB80参数、封装、尺寸
编辑：ll D35XB80-ASEMI整流桥D35XB80参数、封装、尺寸 型号：D35XB80 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5 最大重复峰值反向电压：800V 最大正向平均整流电流(Vdss)：35A 功率(Pd)： 芯片个数：4 引脚数量：5 类型：插件、整流桥 正向浪涌电流：450A 正向电压：1.05V 最大输出电压（RMS）： 封装尺寸：如图 工作温度：
D35XB60-ASEMI整流桥D35XB60参数、封装、尺寸
编辑：ll D35XB60-ASEMI整流桥D35XB60参数、封装、尺寸 型号：D35XB60 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5 最大重复峰值反向电压：600V 最大正向平均整流电流(Vdss)：35A 功率(Pd)： 芯片个数：4 引脚数量：5 类型：插件、整流桥 正向浪涌电流：450A 正向电压：1.05V 最大输出电压（RMS）： 封装尺寸：如图 工作温度：