本文主要是介绍硬件基础常识【1】--如何让BJT工作在深度饱和区,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
- 引言
- BJT饱和的概念
- 差不多的比喻
- 特性曲线说明
- 记忆NPN和PNP的小技巧- -保证一辈子不忘
- 简单估算
- 总结
引言
学过模电或者做过一些电子作品的人都知道三极管这个器件,虽然是个小玩意,但在电路设计过程中承担了巨大的作用。BJT叫做双极结型三极管,可以认为是两个PN结结合而成的,它分为NPN型和PNP型两类。老道还记得当初被这两种类型弄得晕头转向,之前经常用S8050(NPN)和S8550(PNP),拿着它的器件经常要上网去看看b、e、c分别是哪个脚,除非你经常用或者特别用心去记忆过,建议在用之前还是要去查查对应的引脚,因为如果插反的话可能就会变成小火炉。本文不谈那些微观的载流子,也不谈三极管三种放大电路,就让它工作在饱和区和截止区,即就是当成可控的开关来使用。
BJT饱和的概念
差不多的比喻
众所周知BJT工作有截止、放大、饱和三种状态,今天只谈截止和饱和状态。将BJT当做可控的开关来使用的话,其工作原理可以形象的如下图所示。
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图中采用的是NPN型三极管进行讲解,首先要注意BJT是一个电流驱动型器件,阀门的开度就是由Ib的电流大小来控制的,当Vce一定时也就是管道的大小已经确定了,管道中水流大小就比作Ic电流大小(Ic是由C到E哈),阀门从关闭到慢慢打开的过程中也就是Ib慢慢增大的过程,水流迅速变大即Ic迅速增大,当阀门完全打开水流也就达到了当前最大值,假设阀门还能无限打开,但由于管道的限制水流是不会再增大的,也就是水流达到了饱和,换而言之,开始Ic会随着Ib的增大而增大,可以简单的认为Ic=βIb(实际肯定不是线性变化的),但当达到某一临界时Ic不再随着Ib增大而增大(或者说增大得不明显),那就认为BJT达到了饱和。
特性曲线说明
从三极管的输入输出特性曲线也可看出,当Vce一定时(实际中Vce很小约几十到几百毫伏),饱和区的特征曲线可以认为是一条过原点的斜线,做x轴垂线交特征曲线于A点,A点表示在Vce一定时(很小)Ib约为50uA时,Ic约为1.5mA;Vce不变,增大Ib出现B、C、D三点,但注意在图中的Vce确定了唯一的交点A,A点不变Ic就基本不变,B、C、D三点只是为了说明Ib变化了与斜线有交点。大胆想一下,将过原点的斜线无限延伸,当Ib为几十毫安时Ic可能还为1.5mA,这就是BJT饱和的概念。
模电书中说的是当Vbe>=Vce时BJT工作在饱和区,但在实际应用中通过Vbe>=Vce来使BJT饱和其实很抽象而且不容易应用,通常大家会认为Ic=βIb时BJT进入饱和(β为BJT的直流放大倍数,器件数据手册上都有哈一般就是那个hFE,几十到几百不等),在实际应用中一般都会使Ic<<βIb(工程认为接近10倍就是远小于)使BJT进入深度饱和。
记忆NPN和PNP的小技巧- -保证一辈子不忘
只要是正规规定的BJT电路符号,图中的黑色小箭头有以下几种意义。
【1】箭头永远标在发射极一端
【2】箭头永远是由P→N
【3】箭头表示常规应用下电流方向
这样去记忆:左图箭头由P→N,那中间就是P,自然就是NPN咯;右图箭头由P→N,那中间就是N,自然就是PNP咯。
小知识:NPN和PNP工作在饱和区的原理一模一样,只是NPN的Ib是从b→e,PNP的Ib是从e→b
PNP的开关电路这样画就好了,低电平导通,高电平截止;下一篇会讲电阻的具体作用和怎样调整参数。
简单估算
首先明确我们的BJT需要工作在饱和区,前面讲解过当BJT处于饱和区的时候Vce很小几十到几百毫伏,在估算的时候我们通常会忽略Vce,Ic=5V/10KΩ=0.5mA;这边发射极正偏,硅管压降约0.7V,R2是一个很大的电阻与导通的PN结电阻并联,我们认为它是断路,将它的电流忽略掉,Ib=(3.3V-0.7V)/1kΩ=2.6mA,估计BJT的β为200,满足Ib·β=2.6mA·200=520mA>>Ic=0.5mA,BJT工作在深度饱和区。
总结
BJT是电流驱动型器件,将BJT当成开关来使用即是让BJT工作在截止区和饱和区(尽量在深度饱和区才不会出错),此时Vce通常是非常小的,通过简单估算来确定限流电阻的取值,根据Ic<<βIb的工程经验从而确保BJT工作在深度饱和区。
备注:小白理解,不喜勿喷,欢迎大家批评指正
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