微纳加工技术_薄膜制备_CVD(化学气相沉积)

2023-11-01 16:40
文章标签 技术 加工 薄膜 化学 制备 沉积 微纳 cvd 气相

本文主要是介绍微纳加工技术_薄膜制备_CVD(化学气相沉积)，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

CVD(化学气相沉积)

文章目录

  • CVD(化学气相沉积)
    • CVD的一般反应过程
    • CVD反应速率与温度的关系
    • 常见的CVD技术
    • 几种CVD的比较
    • 实例：多晶硅的制备
    • 实例：二氧化硅的制备
    • 实例：Si3N4的制备
    • 实例：各种层的CVD制备方法
    • 常见的CVD反应方程式
    • 填充特性
    • 小结

CVD的一般反应过程

以下过程是串联进行的，反应速率取决于反应最慢的环节。
在这里插入图片描述

CVD反应速率与温度的关系

在这里插入图片描述

低温区温度敏感，高温区流量敏感；
在这里插入图片描述

反应速率对包角特性有影响
conformal :包角特性
包角特性是CVD的重要指标，一般的生产过程结果，是两种（包角 & 非包角）结合的产物，最后生成的形貌为：表面与底面沉积，拐角处堆积，侧壁较薄；
在这里插入图片描述
描述CVD的参数：

在这里插入图片描述

常见的CVD技术

在这里插入图片描述

几种CVD的比较

在这里插入图片描述
LPCVD & PECVD 对比
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实例：多晶硅的制备

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

实例：二氧化硅的制备

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实例：Si3N4的制备

在这里插入图片描述

实例：各种层的CVD制备方法

在这里插入图片描述

常见的CVD反应方程式

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填充特性

填充不好的介质层；
在这里插入图片描述
填充不好的钨塞
在这里插入图片描述
填充好的钨塞；
在这里插入图片描述

小结

在这里插入图片描述

这篇关于微纳加工技术_薄膜制备_CVD(化学气相沉积)的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！


http://www.chinasem.cn/article/324335。

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