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引言 通过有效控制AlN薄膜与Si衬底之间的界面反应，利用脉冲激光沉积（PLD）在Si衬底上生长高质量的AlN外延薄膜。英思特对PLD生长的AlN/Si异质界面的表面形貌、晶体质量和界面性能进行了系统研究。 我们研究发现，高温生长过程中形成非晶SiAlN界面层，这是由于高温生长过程中烧蚀AlN靶材时，衬底扩散的Si原子与脉冲激光产生的AlN等离子体之间发生了严重的界面反应所致。相反，通过在合适

引言 众所周知，材料的宏观性质，例如硬度、热和电传输以及光学描述符与其微观结构特征相关联。通过改变加工参数，可以改变微结构，从而能够控制这些性质。在薄膜沉积的情况下，微结构特征，例如颗粒尺寸和它们的颗粒形态，在沉积技术之间和沉积技术内部可以有很大的不同，导致上述物理响应的变化，即使对于相同的材料也是如此。 特别是薄膜，由于沉积过程，它们可能保留显著的内部残余应力，从而影响这些特定的性能。这些应

CVD(化学气相沉积) 文章目录 CVD(化学气相沉积)CVD的一般反应过程CVD反应速率与温度的关系常见的CVD技术几种CVD的比较实例：多晶硅的制备实例：二氧化硅的制备实例：Si3N4的制备实例：各种层的CVD制备方法常见的CVD反应方程式填充特性小结 CVD的一般反应过程 以下过程是串联进行的，反应速率取决于反应最慢的环节。 CVD反应速率与温度的关系 低温区

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：半导体晶圆级电化学沉积系统 编号：JFKJ-21-321 作者：炬丰科技 电镀槽体基本组成   大型电镀工艺设备之基本包括：镀槽、导入导入、电源供应器。其中，镀槽是导入导入化学溶液，导入欲为镀之金属或导电用贵重钝态金属引线，供应器则提供表面涂层厚度或电压增加极限：电池或电压保护器（整流器）等。此外，局部系统则能产生镀液循环搅拌功能，降低涂层涂层厚度和