本文主要是介绍半导体设备：静电卡盘，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
静电卡盘是半导体设备的核心组件之一，对于控制晶圆的温度（加热及冷却）至关重要。静电卡盘（简称 ESC 或者 E-CHUCK）具有高稳定性、晶圆平坦度高、颗粒污染小、边缘效应小等优势，目前已广泛应用在等离子和真空工艺的半导体工艺过程中。
我国晶圆的静电卡盘行业发展时间不长，国内的技术水平与国际上的技术水平存在较大的差距。当前我国晶圆的静电卡盘技术突破有限，国内市场基本被国外龙头企业垄断。但随着中国静电卡盘技术研发的不断深入，预计未来中国有望实现技术突破，打破国外企业垄断的局面，实现进口替代。
陶静电卡盘按照主体材料材质划分，可分为氧化铝和氮化铝（一般应用于静电吸盘加热器）两大类；按照陶瓷静电卡盘力学模型来划分，可分为库伦（电介质）和迥斯热背（J-R）两大类。其中电介质类静电卡盘的材料可以由纯氧化铝、氮化铝、氧化硅等；迥斯热背类静电卡盘的材料可以由氧化铝、氮化铝、氧化硅等材料掺杂适量的金属粉末混凝烧结而成。
随着半导体及集成电路制程设备和制程工艺的发展，传统的以有机高分子材料和阳极氧化层为电介质的静电卡盘逐步被陶瓷静电卡盘逐渐替代，陶瓷静电卡盘拥有良好的导热和耐卤素等离子气氛的性能，广泛应用于半导体及集成电路核心制程制作中，在高真空等离子体或特气环境中起到对晶圆的夹持和温度控制等作用，是离子注入、刻蚀等关键制程核心零部件之一。
静电吸附技术在泛半导体、光学等领域中有着广泛应用。静电卡盘（E-CHUCK）是一种适用于真空及等离子体工况环境的超洁净晶圆片承载体，它利用静电吸附原理进行超薄晶圆片的平整均匀夹持，是PVD、ETCH、离子注入等高端装备的核心部件。
陶瓷晶圆卡盘 99.5%纯度氧化铝陶瓷--300mm
在陶瓷内部配置金属电极，通过进行一体化熔结 ，可以制作静电卡盘（Electrostatic Chucks）和陶瓷加热器。
运用各种材料技术，形成了可以应对客户需求的静电卡盘／陶瓷加热器系列。在等离子环境领域、电子线使用领域等，从开发、试做阶段，即可提供符合用途要求的产品。
（1）装有加热器的静电卡盘（ESC／加热器）
【材质：AIN（氮化铝）】
- 通过控制AIN的体积电阻率，可以获得大范围的温度域和充分的吸附力。
- 通过自由度高的加热器设计可以实现良好的温度均匀性。
- 因使AIN和电极完成一体化熔结，没有出现因电极的劣化造成的历时变化。
- 也可以应对采用接合技术的陶瓷中空结构和陶瓷轴安装。
2）静电卡盘（ESC）
【材质：Al2O3（氧化铝）】
- ・采用层压技术实现极高的面内温度均一性。
- ・通过使用高纯度的氧化铝可以降低金属污染。
- ・在卤素气体等离子体环境下发挥出出色的耐久性。
（3）陶瓷加热器
【材质：AIN（氮化铝）】
- 由于使用了高热传导性的AIN，实现了良好的的温度均匀性（±0.3%）。
- 拥有IR相机和TC晶圆等的特性检查环境。
氮化铝 (AIN) ，氮化铝陶瓷加热盘制成常见形式和精细加工的零件，用于各种精密电子应用，尤其是半导体行业，我们为芯片制造提供优质氮化铝陶瓷部件。
氮化铝是一种多功能材料，最常用于需要高导热性和电绝缘性的场景。这种独特的能力与其低毒性相结合，使AIN成为快速加热、为其他组件及系统（例如散热器和散热器）散热的理想选择。例如钧杰陶瓷生产的氮化铝陶瓷加工热盘（heater）、氮化铝陶瓷晶圆托盘等。
此外，其与硅材料相似的低热膨胀系数意味着 AIN 是用于半导体产品的值得信赖的物质。该材料在很宽的温度范围内保持高度稳定。
在大功率电子应用中，固态晶体管等组件会产生大量热量，从而影响性能。由 AIN 制成的基板可以带走热量，同时作为安装组件的绝缘体。同样，LED 应用会产生大量热量。传统的散热器与 AIN 基板一起可以散热并提高性能。
Jundro Ceramics 在氮化铝陶瓷加热盘（heater）加工方面拥有丰富的经验，可以制造块材、板材和棒材。精细的加工工艺使 Jundro Ceramics 能够以极高的精度和可重复性对氮化铝进行钻孔、研磨或螺纹加工。
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