剑桥GaN与台湾工研院缔结合作之约,携手共筑USB-PD适配器新篇章

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剑桥GaN与台湾工研院签署协议
USB-PD适配器超过30瓦/立方英寸,用于电动交通、工具、笔记本电脑和手机,是第一个目标
剑桥GaN器件公司(CGD)与台湾工业技术研究院(ITRI)签署了一份谅解备忘录,以巩固双方在开发用于USB-PD适配器的高性能GaN解决方案方面的合作伙伴关系。该谅解备忘录还涉及共享国内和国际市场信息、联合拜访潜在客户和推广。
GGD首席商务官安德烈·布里科尼评论道:“我们很高兴能与ITRI合作,ITRI是一个拥有电力解决方案研究团队的组织,在开发电力解决方案方面经验丰富,拥有许多专利。我们将在6月份纽伦堡举行的PCIM展会上展示他们的一些电路板设计。这些产品利用CGD独特的IC芯片架构和ITRI的专利设计,实现了产品尺寸的减小、高效率和功率密度以及成本竞争力。”
GEL/ITRI商业电源设计团队负责人Wen-Tien Tsai表示:“CGD的IC增强型GaN – ICeGaN – 是一个新颖的平台,可提高易用性,促进智能温度控制并提高栅极可靠性。我们很高兴将这些优势纳入我们的新电源设计中。”
根据世界银行集团分析师、Yole集团的数据,氮化镓市场预计将超过10亿美元,主要增长点在于通信电源、汽车DC/DC转换器和车载充电器的应用。然而,市场上第一个采用氮化镓设备的商业化产品是USB-PD适配器,而该合作的首批设计将针对这个市场。具体而言,该协议涵盖了140-240瓦范围内的电源解决方案的开发,其功率密度超过30瓦/立方英寸,适用于电动交通、电动工具、笔记本电脑和手机应用。

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