蚀刻专题
晶圆清洗与氧化物蚀刻的特性研究
引言 本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。 实验 图1显示了本工作中使用的反应器的示意图；该反应器由一个惰性碳化硅反应室和两个装有适当溶液的加热汽化器组成，通过使受控量的氮气载气通过汽化器来输送蒸汽，该室没有被加热，并且处理压力保
《炬丰科技-半导体工艺》硅片与氟蚀刻液界面金属杂质的去除
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：硅片与氟蚀刻液界面金属杂质的去除 编号：JFKJ-21-948 作者：炬丰科技 引言 随着硅基板越来越密集和复杂。为了提高基板的可靠性和执行能力，要求硅基板更高的清洁性。因此，为了在液/持续时间和液/液之间界面的完美调节下使基板表面清洁和均匀，了解基板污染物，查明机制，确立适当的基板污染剂那里技术是很重要的。硅表面的金属杂质给半导体装置带来不可治愈的损伤，
浅谈PCB真空蚀刻技术
关注、星标公众号，不错过精彩内容 转自：电子发烧友网 随着全球电子产品市场的需求升级和快速扩张，电子产品的小型化、高精密、超细线路印制电路板技术正进入一个突飞猛进的发展时期。为了能满足市场不断提升的需求，特别是在超细线路技术领域，传统落后的蚀刻技术正被先进的真空蚀刻技术所代替。 一、PCB蚀刻定义 蚀刻：将覆铜箔板表面由化学药水蚀刻去除不需要的铜导体，留下铜导体形成线路图形，这种减去法工艺是当
搜集整理的PCB蚀刻方法
现在最为流行的可以在家庭条件下制作PCB线路板的方法，无非是热转印跟使用感光板。热转印最叫人难以接受的是必须要有一台高质量的激光打印机及热转印机支持，同时还有一个致命的不可克服的缺点就是容易出现掉粉断线，因此无法达到很高的线条精度。而用感光板虽然具备达到0.05mm以下线条制作精度的能力，但因价格稍贵，一般人并不愿意使用，现在好了，我们有了感光干膜，可以取两者之长，用热转印的价格，达到
测量硅蚀刻速率的简单方法
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物，暴露底下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅蚀刻速率。 首先，在乙醇中通过超声波清洗硅基底，使用原子力显微镜，在潮湿空气（相对湿度≃50%）划伤二氧化硅尖端后，通过摩
KOH溶液中氮化铝的湿化学蚀刻
引言 本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应性溅射制备的A1N的晶体质量，随着退火温度的增加，材料的湿蚀刻率降低。在1100°C退火后，在80°C蚀刻温度下，蚀刻速率降低了约一个数量级。用金属有机分子束外延生长的In019A1081N在硅上的蚀刻速率大
硅和sio2的湿式化学蚀刻
硅和二氧化硅的湿化学蚀刻 硅是微电子学和微细力学中最常用的衬底材料。它不仅可用作无源衬底，也可用作电子或机械元件的有源材料。如本章所述，所需的图案也可以通过湿化学蚀刻方法来实现。 腐蚀率 各向异性、绝对蚀刻速率和蚀刻的均匀性取决于两种缺陷 晶体硅在KOH(左图)和TMAH(右图)中的(100)和(110)平面的浓度和温度依赖性刻蚀速率。硅的碱性蚀刻除了需要OH离子外，还需要游离水分子。
用于先进封装技术的Si蚀刻
在本文中讲述了HARSE的工艺条件，其产生超过3微米/分钟的蚀刻速率和控制良好的、高度各向异性的蚀刻轮廓，还将成为展示先进封装技术的潜在应用示例。 在用作阳极硅衬底的 “光学工作台”示意图中显示，混合技术集成和封装使用第二光刻步骤，可以在硅中蚀刻出相对于激光器的精确深度和位置的沟槽，以便被动对准光纤，此外可以蚀刻晶片通孔，用作正面控制和/或驱动电路的光学或电学互连。 图1 图1展示了其中
氢氧化钾腐蚀单晶硅片蚀刻速率的研究
本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有机残差。 通过采用研磨和离子研磨的方法制备了横截面透射电镜样品，反射率测量是使用基于光纤，光学排列进行的，利用日立S-4800扫描电子显微镜(SEM)、200keVJEOL2010F
硅双通道光纤低温等离子体蚀刻控制与SiGe表面成分调制
引言 在过去的几年中，MOSFET结构从平面结构改变为鳍型结构(FinFETs ),这改善了短沟道效应，并导致更高的驱动电流泄漏。然而，随着栅极长度减小到小于20nm，进一步小型化变得越来越困难，因为它需要非常窄的鳍宽度，这导致驱动电流恶化。 在亚纳米工艺中，SiGe有望用于p-FET沟道，而Si仍然作为n-FET的沟道材料，就双沟道结构的各向异性干法刻蚀而言，需要同时刻蚀Si和SiGe。然而
不同氮化镓蚀刻技术的比较
引言 GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法，大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成的，等离子体刻蚀的缺点是容易产生离子诱导损伤，难以获得光滑的刻蚀侧壁。为了更好地控制表面粗糙度，英思特采用了一种称为数字蚀刻的技术来进行研究。 实验与讨论 我们通过选择PEC二元GaN刻蚀方法来
定制NaBH4, LiBH4,Mg(BH4)2以及MgH2等轻金属储氢材料/氢氟酸不完全蚀刻块状Mxene-Ti2CTx的室温储氢机理
定制NaBH4, LiBH4,Mg(BH4)2以及MgH2等轻金属储氢材料/氢氟酸不完全蚀刻块状Mxene-Ti2CTx的室温储氢机理 通过氢氟酸不完全蚀刻Mxene开发了一种高容量的室温储氢材料---块状Ti2CTx (T为官能团)。该材料在室温和相对安全的60 bar压力下储存8.8 wt%的氢气，几乎是已报道的相同压力下的较高储氢能力的两倍！即使在大气环境下（25℃，1 bar），块状Ti
具有突发宽度的硅晶圆蚀刻速率特性
引言 等离子加工是一种使用等离子的材料加工技术，是当今制造业的重要组成部分。如今，需要超精细加工技术来满足大规模集成电路的需求，而高密度等离子源是实现这一目标的必要条件。 本研究采用四氟碳（CF4）和氩气（Ar）混合气体进行反应离子刻蚀，并将刻蚀速率与使用氩气气氛的物理刻蚀进行比较。英思特研究了突发宽度对电气和蚀刻特性的影响。通过时间分辨测量评估电气特性，突发宽度在400–1000µs范围内变