XTS05R SOT-143用于高速线路保护的2线ESD保护二极管阵列 USB端口和以太网端口保护阵列二极管，3540513578 XTS05R SOT-143是浪涌额定二极管阵列设计，以保护高速数据接口。本系列专门设计用于保护连接到数据和传输线的敏感元件免受ESD（静电放电）引起的过电压。独特的设计采用浪涌额定，低电容转向二极管和一个TVS二极管在一个单一的封装。在瞬态条件下，转向二极管将瞬

TPESD0502S4 SOT-143用于高速线路保护的2线ESD保护二极管阵列 USB端口和以太网端口保护阵列二极管，3540513578 TPESD0502S4 SOT-143是浪涌额定二极管阵列设计，以保护高速数据接口。本系列专门设计用于保护连接到数据和传输线的敏感元件免受ESD（静电放电）引起的过电压。独特的设计采用浪涌额定，低电容转向二极管和一个TVS二极管在一个单一的封装。在瞬态条

UM5202EEDF SOT-143用于高速线路保护的2线ESD保护二极管阵列 USB端口和以太网端口保护阵列二极管，3540513578 UM5202EEDF SOT-143是浪涌额定二极管阵列设计，以保护高速数据接口。本系列专门设计用于保护连接到数据和传输线的敏感元件免受ESD（静电放电）引起的过电压。独特的设计采用浪涌额定，低电容转向二极管和一个TVS二极管在一个单一的封装。在瞬态条件下

SESRV05-4低电容TVS二极管阵列                       说明 SESRV05-4 SOT-23-6是一个双USB端口保护阵列，具有超低电容。 该设备可用于显卡、智能手机、千兆以太网和其他计算机接口。 SESRV05-4设计用于ESD保护，可钳制电源总线上的电快速瞬变效应。 在SESRV05-

ESD防静电保护管XESD2FD3V3B，SOD-882工作电压3.3V结电容25PF，XESD2FD3V3B静电等级±15KV                             ESD防静电保护管,XESD2FD3V3B,SOD-882,设计用于保护电压敏感元件免受静电放电和瞬态电压事件的影响。 XESD2FD3V3B,SOD-882优异的嵌位电压能力、低泄漏和快速响应时间，使这些部件

SELCxxCI系列是超低电容瞬态电压抑制器阵列 SELC03CI系列是超低电容瞬态电压抑制器阵列，设计用于保护便携式电子设备和智能手机等应用。 该系列的额定功率为350瓦，适用于8/20μs波形。SELC03CI系列符合IEC 61000-4-2（ESD）和IEC 61000-4-4（EFT）要求。 在更高的工作频率或更快的边缘速率下，插入损耗和信号完整性是一个主要问题。这个系列提供了超低

TVS管，即瞬态电压抑制器，是一种用于保护电路免受瞬态过电压损害的半导体器件。在高速链路（如USB、HDMI、以太网等）中，TVS管被广泛用于抑制外部电涌、静电放电（ESD）等引起的瞬态电压，以保护敏感的电子组件。             TVS管的结电容：是在TVS管的PN结上形成的固有电容。这个电容是由于PN结的耗尽区内电荷分布而产生的，并且它的大小与TVS管的设计、

模电基础：二极管击穿和结电容： 知识准备： 二极管伏安特性曲线： 关于参杂浓度对耗尽层宽窄与耗尽层中的电荷密度影响： 熵增定律： 物理学中有一个定理叫做熵增定理，这个定理也可以理解为物质总是向趋于混乱的程度发展的，由整齐向混乱发展，那么问题又来了，何为整齐，何为混乱？对于整齐，可以理解为局部较强，比如班里的学生上课都的集中在一个教室，这就叫局部性强，下课铃响了，同学们都散了，有