来源:An Explicit Surface Potential Calculation and Compact Current Model for AlGaN/GaN HEMTs(EDL 15年) 摘要 在本文中,我们提出了一种新的紧凑模型,用于基于费米能级和表面电位的显式解来描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。该模型计算简单,且在预测表面电位和电流-电压特性方面具有高精度,非常适
BOSHIDA AC/DC电源模块:紧凑设计,高效能源利用 AC/DC电源模块是一种用于将交流电转换为直流电的装置。它是许多电子设备中不可或缺的一部分,如计算机、通信设备、家电等。AC/DC电源模块的设计紧凑,具有高效能源利用的特点,下面将详细介绍这些特点。 一,AC/DC电源模块的设计紧凑。由于现代电子设备的体积越来越小,对电源模块的尺寸要求也越来越高。AC/DC电源模块采用了紧凑的
来源:A Compact Model of High-Voltage MOSFET Based on Electric Field Continuity for Accurate Characterization of Capacitance(TED 24年) 摘要 本文提出了一种新的高压MOSFET(HV MOS)紧凑模型,以消除现有模型中过高电容峰值的问题。与现有的改进电容模型方法相比,所
Compact 3D Gaussian Splatting For Dense Visual SLAM 用于密集视觉冲击的紧凑三维高斯散射 Tianchen Deng 邓天辰11Yaohui Chen 陈耀辉11Leyan Zhang 张乐妍11Jianfei Yang 杨健飞22Shenghai Yuan 圣海元22Danwei Wang 王丹伟22Weidong Chen 陈
圣迭戈--(美国商业资讯)--全球领先的物联网市场解决方案提供商Quake Global, Inc. (QUAKE)宣布推出其先进的远程信息处理设备QConnect™。超紧凑型QConnect整合了固定和移动资产,可随时随地进行实时跟踪、监测和控制。该设备提供多种先进的无线通信选项,包括LTE/2G/3G、双频Wi-Fi、蓝牙/BLE、V2X和卫星,旨在满足从简单的低成本跟踪应用到高性能、多通道视
标题:A new physics-based compact model for AlGaN/GaN HFETs (IEEE MTT-S International Microwave Symposium) 摘要 摘要 - 针对AlGaN/GaN HFET,提出了一种无拟合参数的物理解析模型。对于非饱和操作,建立了两个接入区和栅极下方I-V特性的非线性分析模型。所得方程通过边界处的电压和电
标题:Facilitation of GaN-Based RF- and HV-Circuit Designs Using MVS-GaN HEMT Compact Model 来源:IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(19年) 摘要—本文阐述了基于物理的紧凑器件模型在研究器件行为细微差异对电路和系统操作与性能的影响方面的实用性。采用行业标准的麻省理工
标题:A Surface-Potential-Based Compact Model for AlGaN/GaN MODFETs 来源:IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(11年) 摘要 - 本文首次构建了基于表面势(SP)的AlGaN/GaN调制掺杂场效应晶体管(MODFET)模型。 首先,提出了一个闭合形式的解析近似,用于描述AlGaN/GaN界面处
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