等离子体专题
硅双通道光纤低温等离子体蚀刻控制与SiGe表面成分调制
引言 在过去的几年中，MOSFET结构从平面结构改变为鳍型结构(FinFETs ),这改善了短沟道效应，并导致更高的驱动电流泄漏。然而，随着栅极长度减小到小于20nm，进一步小型化变得越来越困难，因为它需要非常窄的鳍宽度，这导致驱动电流恶化。 在亚纳米工艺中，SiGe有望用于p-FET沟道，而Si仍然作为n-FET的沟道材料，就双沟道结构的各向异性干法刻蚀而言，需要同时刻蚀Si和SiGe。然而
等离子体技术【一】--脉冲技术
本文介绍了脉冲等离子体技术在干法刻蚀领域的应用背景，从半导体制程工艺需求层面讲述了纳米量级的刻蚀制程对等离子体参数的需求。重点对脉冲等离子体工作机制、脉冲匹配技术和脉冲等离子体诊断技术研究进展进行了论述。 关键词：干法刻蚀，等离子体损伤，脉冲等离子体 1. 引言 伴随着摩尔定律的发展，半导体芯片的晶圆尺寸越来大，,刻蚀的线宽也逐步缩小。随着线宽的逐步降低，等离子体刻蚀过程导致的损伤问题日益突
等离子体技术【二】--刻蚀方式分类
1. Plasma：广泛应用而又复杂的物理过程 等离子体刻蚀在集成电路制造中已有40余年的发展历程，自70年代引入用于去胶，80年代成为集成电路领域成熟的刻蚀技术。刻蚀采用的等离子体源常见的有容性耦合等离子体(CCP-capacitively coupled plasma)、感应耦合等离子体ICP(Inductively coupled plasma)和微波ECR 等离子体(microwave
等离子体技术【十四】--用于CO2激光器的射频电源
摘自《高功率CO2激光器及其应用技术》 从上面的指标可以看出，CO2激光脉冲宽度要求在15~20ns左右。而用射频电源根本没办法做到，一般脉冲频率为10KHz~100KHz，脉冲宽度对应为10us~100us，相差整整三个量级。
等离子体技术【九】--等离子体的后端现象
一、串扰与CEX 相位同步 CEX是多数射频电源的功能之一，它可减轻串扰，并消除与之相关的问题。通常又叫相位同步。该功能可与系统上的所有电源相匹配，与其波形相吻合,从而使所有的阴极始终处于同相状态 。 下图显示了在没有使用CEX时会出现的阴极之间的串扰，并产生波形的电位差。（摘自AE官网） 如AE公司采用的Arc Synch技术，可消除因靶材串扰造成的电弧放电现象。
利用低温等离子体技术治疗甲真菌病取得进展
甲真菌病是由真菌感染引起的最常见的指甲疾病，约占指甲疾病的50%。与甲真菌病相关的真菌中，红色毛癣菌和须癣毛癣菌是两种最重要的感染病原菌，占人类皮肤真菌总数的80%。然而，目前对甲真菌病的治疗方法有一定缺陷，与其他甲真菌病治疗方法相比，等离子体治疗相对安全、简单、经济、有效。 近期，中国科学院合肥物质科学研究院技术生物与农业工程研究所研究员黄青课题组，利用低温等离子体设备激活过硫酸盐可高效治疗甲
基于Cl2/BCl3电感偶联等离子体的氮化镓干蚀特性
引言 氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV，目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用湿法化学蚀刻来蚀刻或图案化GaN是非常困难的。与湿法蚀刻技术相比，干法蚀刻技术可以提供各向异性的轮廓、快速的蚀刻速率，并且已经被用于限定具有受控轮廓和蚀刻深度的器件特征。 实验与讨论 我们用金属有机化学气相沉积法在(000±1)蓝宝石衬底上生
火焰原子吸收光谱法、容量法和电感耦合等离子体发射光谱法
声明 本文是学习GB-T 1871.5-2022 磷矿石和磷精矿中氧化镁含量的测定 火焰原子吸收光谱法、容量法和电感耦合等离子体发射光谱法. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们 1 范围 本文件描述了在磷矿石和磷精矿中测定氧化镁含量的火焰原子吸收光谱法、容量法和电感耦合等 离子体发射光谱法。 本文件适用于磷矿石和磷精矿产品中氧化镁含量的测定。本文件各方法