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电子器件专题
学习笔记(5):《微电子器件》陈星弼(第四版)第2章 PN结
学习笔记(5):《微电子器件》陈星弼(第四版)第2章 PN结 2.2 PN结的直流电压方程2.2.1 外加电压时载流子的运动情况1.外加正向电压时载流子的运动情况2.外加反向电压时载流子的运动情况 2.2.1 势垒区两旁载流子浓度的玻尔兹曼分布2.2.3 扩散电流1.少子浓度的边界条件2.中性区内的少子浓度分布3. 扩散电流4.反向饱和电流 2.2.4 势垒区产生复合电流1.势垒区的净复合率
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GaN功率电子器件中体缺陷相关机制的建模仿真研究
在电力电子器件的外延生长和器件制备过程中,缺陷是不可避免的,大量的缺陷在一定程度上会牺牲器件的击穿电压、导通电阻等性能,同时影响器件的可靠性。近期,河北工业大学和广东工业大学联合开发了缺陷相关的仿真模型,深入剖析了体缺陷对GaN基肖特基势垒二极管的影响,并实现了对器件动态特性的仿真。 图1 GaN基肖特基势垒二极管结构示意图 图1展示了GaN基肖特基势垒二极管结构示意图,器件中划分了界
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【nature review】用于非易失性射频开关技术的新兴存储电子器件
这篇文章是一篇关于非挥发性射频(RF)开关技术的综述文章,发表在《Nature Reviews Electrical Engineering》2024年1月的期刊上。文章详细介绍了新兴的基于记忆电子技术的RF开关技术,特别是在二维(2D)材料方面的进展。 第一部分:引言 背景介绍 引言部分首先设定了射频(RF)开关在现代通信系统中的背景,强调了它们在蜂窝网络、卫星通信和雷达系统等技术中的普遍
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深圳比创达电子EMC|人体静电对精密电子器件的伤害如何避免
一、生产环节 在静电敏感器件的储存和运输过程中,必须严格遵守一系列防静电措施,以确保器件的安全性和稳定性。首先,防静电包装是不可或缺的一环。这种特殊设计的包装材料能够有效隔离外界静电干扰,减少静电对器件的潜在损害。同时,储存和运输环境也应严格控制,避免任何可能导致静电产生和积聚的因素。这包括但不限于保持适当的温度和湿度、防止灰尘和杂质的侵入等。 此外,操作人员也是防静电工作中不可忽视的一环。他
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PCB中常用电子器件封装学习——【一网打尽】
‘ 上图是这个世界上大概所有的封装种类,当然我们日常硬件电路设计肯定用不到这么多,接下来我将介绍几种工程上常用的封装,配以图片方便大家理解学习。在电子器件选型的时候,避免选择到一些非常难以焊接的封装电子器件。
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电子器件系列36:SD卡
SD卡概述、分类、结构、发展历史? 视频: SD卡介绍(1)SD卡的分类和规格-郭天祥_哔哩哔哩_bilibili SD卡介绍(2)标识、容量和速度的讲解-郭天祥_哔哩哔哩_bilibili 概述? Secure Digital Memory Card/SD card安全数码卡 SD存储卡(Secure Digital Memory Card)是一种基于半导体快闪存储器的新一代高速
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电子器件系列63:肖特基二极管NSQ03A04\SS34C
以下是肖特基二极管_SS34C_规格书_SLKOR(萨科微),立创编号C880740 以下是肖特基二极管NSQ03A04的规格书: 稍微比较下参数,发现两者参数接近,ss34的几个参数还要略微好一些,可以用ss34来作替换。 在电源电路中的应用: 肖特基二极管可用于负载由两个独立电源驱动的应用。一个示例可以是主电源和电池电源。在这些情况下,一个电源的电源不
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电子器件系列61:磁珠
磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰,还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠是用来吸收超高频信号,像一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠,而电感是一种蓄能元件,用在LC振荡电路,中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过50MHZ。 磁珠有很高的电阻率和磁导率,等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变化。
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功率电子器件
只看楼主 1楼 一.功率电子器件及其应用要求 功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。这些设备都是自动化系统中必不可少的,因此,我们了解它们是必要的。 近年来,随着应用日益高速发展的需求,推动了功率电子器件的制造工艺的研究和发展,功率电子器件有了飞跃性的进步。器件的类型朝多元化发展,性能也越来越改善。大致来讲,功率器件的发展,体现在如下方面: 1. 器件能
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常用电子器件学习——三极管
三极管介绍 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN
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常用电子器件学习——MOS管
MOS管介绍 MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。 记住 MO
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栅极驱动器原理:揭示电子器件中的关键组件
在当今的数字时代,电子元件是塑造我们生活的无数技术奇迹的支柱。从智能手机到电动汽车以及介于两者之间的所有产品,电子元件都发挥着至关重要的作用。称为栅极驱动器的关键组件在控制半导体器件的开关方面发挥着关键作用。本文深入探讨了栅极驱动器的原理、其重要性以及它们如何促进电子电路和系统的高效运行。 什么是栅极驱动器? 栅极驱动器是一种电子电路,充当低压控制信号和高功率半导体开关【例如MOSFET(金属
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学习笔记(5):《微电子器件》陈星弼(第四版)第2章 PN结
学习笔记(5):《微电子器件》陈星弼(第四版)第2章 PN结 2.2 PN结的直流电压方程2.2.1 外加电压时载流子的运动情况1.外加正向电压时载流子的运动情况2.外加反向电压时载流子的运动情况 2.2.1 势垒区两旁载流子浓度的玻尔兹曼分布2.2.3 扩散电流1.少子浓度的边界条件2.中性区内的少子浓度分布3. 扩散电流4.反向饱和电流 2.2.4 势垒区产生复合电流1.势垒区的净复合率
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【EI会议征稿】第七届电子器件与机械工程国际学术会议(ICEDME 2024)
第七届电子器件与机械工程国际学术会议(ICEDME 2024) 2024 7th International Conference on Electron Device and Mechanical Engineering 第七届电子器件与机械工程国际学术会议(ICEDME 2024)将于2024年3月15-17日在山西·太原召开。ICEDME 2024将围绕“通讯工程、电气工程、机械动力学、
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常用电子器件之晶体三极管
一.晶体管的结构和符号 图示的是一个中功率的三极管,按照功率来分类的话可以分成小,中,大功率三种类型的三极管,一般中功率和大功率三级管上我们都会注意到有一个孔在上边,就是为了便于安装散热器的(半导体器件嘛,温度对于管子的特性影响很大)。 晶体管有三个极,三个区,两个PN结。 对于发射区来说,掺杂的磷元素非常多,多数载流子数量很高。对于基区来讲,掺杂的硼元素很少,多数载流子数量很低,而且做得非常
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电子器件 电容的参数、选型与使用技巧
一、参数 最重要的参数有五个,分别是精度、温度系数、耐压、温度范围和ESR。 1.1 精度 电容和电阻不同,电阻精度可以做到高于 0.1%,而电容的话 5% 精度非常高的了。一般为 5%,10%,25% 等。 1.2 温度系数 电容的电容量会随着温度的上升而下降(低于工作温度后也会明显下降),同样电容的温度系数的单位为PPM。 比如一个0.1UF,250ppm的电容,温度每升高1℃,其电
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电子器件 电阻参数与选型
一、参数 电阻的主要参数有:精度、温度系数和功率三个 1.1 精度 一般有0.1%、1%,5%,10%,15%、25%等,一般精度越高价格也越高。有些场合需要使用高精度的电阻。 其中精度所代表的字母如下: L=±0.01%P=±0.02%W=±0.05%B=±0.1%C=±0.25%D=±0.5%F=±1%G=±2%J=±5%K=±10%M=±20%N=±30% 下图中的水泥电阻上标有
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微电子器件(Ⅳ)
实验四:晶体管开关时间的测量 作者:Saint 掘金:https://juejin.im/user/5aa1f89b6fb9a028bb18966a 微博:https://weibo.com/5458277467/profile?topnav=1&wvr=6&is_all=1 GitHub:github.com/saint-000 一、实验原理: 图1 如图1所示,如果在晶体管基极
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电子器件系列39:反激式变压器
反激式(Flyback)变压器又称单端反激式或Buck-Boost转换器。因其输出端在原边绕组断开电源时获得能量故而得名。反激式变换器以其电路结构简单,成本低廉而深受广大开发工程师的喜爱。 反激式变压器适合小功率电源以及各种电源适配器。但是反激式变换器的设计难点是变压器的设计,因为输入电压范围宽,特别是在低输入电压,满负载条件下变压器会工作在连续电流模式,而在高输入电压,轻负载条件下变压器又会工
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常用电子器件 ——电容
说明: 本文章旨在总结备份、方便以后查询,由于是个人总结,如有不对,欢迎指正;另外,内容大部分来自网络、书籍、和各类手册,如若侵权请告知,马上删帖致歉。 QQ 群 号:513683159 【相互学习】 文章目录 简述电容充放电过程现实生活中的例子 电容的分类主要参数1.标称容量和允许误差2.额定工作电压3.绝缘电阻4.介质损耗 命名方法电容的选用电容的检测1.固定电容器的检测2.电
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电子器件系列58:单稳态多谐振荡器
单稳态多谐振荡器(Monostable Multivibrator):单稳态也称为单次多谐振荡器。在单稳态多谐振荡器中,有一种稳态和一种非稳态。这种多谐振荡器需要一个触发器(外部信号)才能进入非稳态并在一段时间后回到稳定状态。时间段由用户设定,单稳态多谐振荡器主要用作定时器。 单稳态多谐振荡器基本概念 多谐振荡器的稳定状态是指在那一刻,输出是高或低。单稳态多谐振荡器有一种稳态和一种准稳
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电子器件系列十八:rs232与rs485
1.RS232接口 一种标准的串行物理接口,232是标识号。每个RS232接口都有两个物理连接器(插头),有9芯和25芯插头。 其中九针插头使用较为常见,引脚功能主要是:引脚2代表RXD,引脚3代表TXD,引脚5代表GND。 RS232接口由单端、双极性的电源供电电路组成,主要缺点: a.数据传输速率低,最高为20kbit/s; b.传输距离短; c.存在共地噪声和不能抑制共模干扰。
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