氮化专题

倍思突破氮化镓快充技术，为用户带来安全舒适体验

氮化镓,这个化学式为GaN的化合物,其高热稳定性和化学稳定性使其在多种极端环境中都能保持优良的性能,从而为其在电子器件领域的应用奠定了坚实的基础。 2018年前后开始,氮化镓快充充电器进入国内市场。作为第三代半导体材料的代表,氮化镓具有宽禁带的特性,其禁带宽度远大于传统的硅材料。这使得氮化镓器件能够承受更高的电场,从而开发出载流子浓度更高的器件结构。此外,氮化镓还具有更小的晶体管、更短的电流路径

针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)的准物理等效电路模型，包含基板中射频漏电流的温度依赖性

来源：Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si（TMTT 23年）摘要该文章提出了一种针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）的准物理等效电路模型，旨在模拟基板中的射频

【氮化镓】高电容密度的p-GaN栅电容在高频功率集成中的应用

这篇文章是香港科技大学Kevin J. Chen等人与台积电M.-H. Kwan等人关于高电容密度的p-GaN栅电容在高频功率集成中的应用研究。文章详细介绍了p-GaN栅电容的设计、特性和在高频功率集成中的应用。通过实验数据和理论分析，文章展示了p-GaN栅电容在实现高电容密度、低ESR和高Q因子方面的潜力。此外，文章还讨论了不同布局设计对电容器性能的影响，特别是多指交错布局在提高高频性能方面

【氮化镓】GaN功率器件在转换器设计中的挑战

I. 引言（INTRODUCTION）宽带隙（WBG）器件的重要性：引言部分首先强调了宽带隙（WBG）器件在高频、高效率电力电子技术中的关键作用。这些器件，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），相较于传统的硅功率器件，具有显著的优势。宽带隙半导体材料的高击穿场强允许设计更薄的漂移区，从而优化器件的特定导通电阻（Rds,on）。此外，GaN的高电子迁移率进一步降低了导通电阻，使得器件

【氮化镓】栅极漏电对阈值电压和亚阈值摆幅影响建模

本文是一篇关于p-GaN门AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的研究文章，发表于《应用物理杂志》（J. Appl. Phys.）2024年4月8日的期刊上。文章的标题为“Analysis and modeling of the influence of gate leakage current on threshold voltage and subthreshold swing

文章《Temperature rise detection in GaN high-electron-mobility transistors via gate-drain Schottky junction forward-conduction voltages》，由Xiujuan Huang, Chunsheng Guo, Qian Wen, Shiwei Feng, 和 Yamin Zhan

【氮化镓】三星200mm 硅基高阈值电压p-GaN器件

【High threshold voltage p-GaN gate power devices on 200 mm Si】——IPSD2013 摘要：三星公司的研究人员介绍了一种高阈值电压、低导通电阻和高速的GaN-HEMT功率器件，该器件在栅极堆叠中使用了p-GaN层。文章提出了三个创新点：首先，首次在200毫米GaN on Si衬底上使用无Au且完全与CMOS兼容的工艺制造了p-G

【氮化镓】缓冲层结构对GaN HEMT射频性能的影响

【Effect of different layer structures on the RF performance of GaN HEMT devices】研究总结：本研究探讨了不同缓冲层结构对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）射频性能的影响。通过对比三种不同缓冲层结构的GaN HEMT设备，研究了缓冲层质量和陷阱效应对射频增益的影响。实验采用了详细的直流和脉冲IV测量，以及

【氮化镓】位错对氮化镓（GaN）电子能量损失谱（EEL）的影响

本文献《Influence of dislocations on electron energy-loss spectra in gallium nitride》由C. J. Fall等人撰写，发表于2002年。研究团队通过第一性原理计算，探讨了位错对氮化镓（GaN）电子能量损失谱（EEL）的影响。研究发现，未装饰的全核心位错导致低损耗EEL光谱中低于块体起始能量的吸收。此外，边缘位错附近的氮原子

【氮化镓】镁激活退火对p-GaN迁移率和阈值电压的影响

【Mg activation anneal of the p-GaN body in trench gate MOSFETs and its effect on channel mobility and threshold voltage stability】文献总结：本研究探讨了在沟道栅MOSFETs中，镁（Mg）激活退火步骤对p型氮化镓（GaN）体的沟道迁移率和阈值电压（VT）稳定性的

聊聊功率器件（氮化镓，碳化硅）

氮化镓和碳化硅是两种具有独特性质和广泛应用的无机物。下面将尽可能详细地解释它们的定义、应用、研究热点以及对我们的价值。 1，氮化镓氮化镓（GaN）是一种由氮和镓元素组成的化合物，具有直接能隙的半导体特性。其结构类似于纤锌矿，硬度很高，并且具有宽带隙、高热导率以及稳定的化学性质。氮化镓的能隙较宽，为3.4eV，这使得它在高功率、高速的光电元件中有广泛应用，比如紫光的激光二极管。此外，氮

【氮化镓】利用Ga2O3缓冲层改善SiC衬底AlN/GaN/AlGaN HEMT器件性能

Micro and Nanostructures 189 (2024) 207815文献于阅读总结。本文是关于使用SiC衬底AlN/GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的研究，特别是探讨了不同缓冲层对器件性能的影响，以应用于高速射频（RF）应用。研究主要关注如何选择一个成本效益高、厚度超过1微米且缺陷较少的缓冲层，以改善直流（DC）和射频（RF）性能。研究中特别提到了使用β-Ga2

KOH溶液中氮化铝的湿化学蚀刻

引言本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应性溅射制备的A1N的晶体质量，随着退火温度的增加，材料的湿蚀刻率降低。在1100°C退火后，在80°C蚀刻温度下，蚀刻速率降低了约一个数量级。用金属有机分子束外延生长的In019A1081N在硅上的蚀刻速率大

二维铁酸锌纳米片异质结复合物/二维有机聚合物石墨相氮化碳复合物/二维非金属光催化复合物/二维碳化硅纤维布增强陶瓷基复合物

近日，报道了低对称性单层硫化铼（ReS2）晶体中由平行和准平行晶粒构成的重叠晶界的原子级结构解析和性质预测。研究者结合纳米颗粒在晶粒边界的选择性吸附和球差校正透射电子显微术，实现了在微米尺度大范围、快速显像晶界和在亚纳米尺度精确表征晶界原子结构的兼得；精确解析了具有不同取向、宽度、原子层间堆垛方式的多种重叠晶界，并结合密度泛函理论计算预测了低对称性硫化铼晶体中重叠晶界的电子能带结构将与晶界的取向密

应用在LCD显示器电源插头里的氮化镓（GaN)MTC-65W1C

LCD（Liquid Crystal Display）显示器是利用液晶显示技术来进行图像表现的显示装置，从液晶显示器的结构来看，无论是笔记本电脑还是桌面系统，采用的LCD显示屏都是由不同部分组成的分层结构。LCD显示器按照控制方式不同可分为被动矩阵式LCD及主动矩阵式LCD两种。 LCD显示器是一种数字显示器,它基于液晶技术。液晶是一种类似于晶体的物质,它能够通过电场控制其光强度和颜色。LCD显

PEG化类石墨相氮化碳量子点g-CNQDs-PEG/PEG400修饰WSe2量子点制备研究

PEG化类石墨相氮化碳量子点g-CNQDs-PEG的制备研究：近年来,世界范围内环境污染问题日益加重,能源危机也越来越凸显出来,石墨相氮化碳量子点(graphite phase carbon nitride quantum dots, g-CNQDs)作为一种非金属半导体光催化材料,因其优异的性能引起了广大研究者的关注.g-CNQDs除了用于光催化降解有机污染物和能量转换器件领域外,还凭借其良

不同氮化镓蚀刻技术的比较

引言 GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法，大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成的，等离子体刻蚀的缺点是容易产生离子诱导损伤，难以获得光滑的刻蚀侧壁。为了更好地控制表面粗糙度，英思特采用了一种称为数字蚀刻的技术来进行研究。实验与讨论我们通过选择PEC二元GaN刻蚀方法来

氮化镓或将成为超快5G技术的关键

5G的出现，势必会带来对更高移动网络连接速度和更大数据容量的需求。为了应对这一提升性能的需求，就需要新的基站技术。基站是所有移动网络必须克服的一个瓶颈。也正是这个瓶颈，将目前的4G网络限制在50Mbps的平均峰值数据速度内，并阻碍它实现真正的实时传输。相反，5G或许能实现实时无线通信，并实现10Gbps的最大数据速率。德国弗莱堡的弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Ins

几个氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要，本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项。本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文连接引脚的 GaNF

《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓的光伏效应

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓的光伏效应编号：JFKJ-21-301 作者：炬丰科技摘要采用宽带隙半导体材料或减小 p-n 结漏电流密度是增加开路电压以提高太阳能电池光电转换效率的重要途径。氮化镓( GaN) 是一种具有直接带隙的宽带隙化合物半导体材料，并已在光电器件领域得到广泛应用。以通过水热腐蚀制备的、具有优异宽波段光吸收性能的硅纳米孔柱阵列( Si-NPA)

thinkbook14+ 锐龙版使用电池或65W氮化镓时屏幕发白解决

我的是thinkbook14+ 锐龙版，在使用电池和65w充电器的时候明显感觉屏幕有点发白，尤其是在一些色差很小的页面，简直看不出色差。解决方法：打开AMD 显卡控制面板，选择显示器，关闭Vari-Bright。

氮化镓功率放大器长期记忆效应的补偿

标题：Compensation of Long-Term Memory Effects on GaN HEMT-Based Power Amplifiers 来源：IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES DPD：数字预失真（Digital Pre-Distortion）RF PA：射频功率放大器（Radio Frequency

浅谈数字化改革门户技术服务，QPQ盐浴氮化处理

1、数字化改革集成门户：数字化改革集成门户建设基于省数字化改革统一建设规范，进行分层分级式布局，采用链接方式集成五大系统首页。本项目的用户体系与浙政钉用户体系保持一致，其中，党政机关整体智治、数字政府、数字社会、数字经济、数字法治等板块的权限根据浙政钉用户所属单位值岗权限进行分配，用户可以对权限内数字化改革门户页面进行浏览和操作。数字化改革综合门户必须同时开展四端建设，分别为浙政钉电脑端、

分析氮化镓芯片的特点

作为第三代半导体材料，氮化镓具有高频、高效率、低发热等特点，是制作功率芯片的理想材料。如今，电源芯片厂商纷纷推出氮化镓封装芯片产品。这些氮化镓芯片可以显著提高充电器的使用效率，减少热量的产生，并且缩小了充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。 PD充电器是KeepTops的一个知名系列产品。此前已在30W、65W、100W和200W四个功率领域推出了相应的产品。用（KeepTops）

电子材料氮化镓芯片有多大的优势

氮化镓快充技术的普及，绝不仅仅是成品数量的增加而已，更重要的是，在芯片层面，氮化镓功率器件的供应商从最初的几家增加到十几家，产品类型多样，主控芯片品牌超过十个，使后续的氮化镓快充市场多元化。开发开辟了最关键的一环。 1. 氮化镓快速充电市场规模。氮化镓（GaN）是下一代半导体材料，其运行速度比传统硅快20倍。Si）技术，并能够在尖端的快速充电器产品中使用时提供三倍以上的功率，可以实现远远超过现

一种高能效、高可靠性氮化镓芯片进入电子领域

作为氮化镓快充控制器国产化的先行者，KeepTops率先实现了氮化镓控制芯片的自主可控性，并成功量产集成GaN直驱的控制器。得到了业界的广泛认可，现已推出。 KeepTops继推出氮化镓控制器后，再次推出高集成度氮化镓功率芯片KT65C1R120D，将控制器、氮化镓驱动器、GaN功率管集成到DFN8*8个小体积封装。通过将它们全部集成到一个封装中，降低了寄生参数对高频开关的影响，在提高可靠性的同