描述 WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021是无铅的无卤 特征FAE：13723714318 海沟技术 Supper高密度电池设计 出色的导通电阻 极低的阈值电压 小型封装SOT-323 应用 DC-DC转换器电路 负载开关 等级转换 小信

说明 WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤。 品牌：韦尔 型号；WNM2020-3/TR 封装：SOD923 包装：3000 年份：18+ 特征 FAE:13723714318 海沟技术 Supper高密度电池设计 出色的导通电阻

场效应晶体管（FET） 特点：FET具有体积小、耗电少、寿命长、内部噪声小、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单以及便于集成等特点。FET的分类： #mermaid-svg-LoKGQsHSj4KRSLCB .label{font-family:'trebuchet ms', verdana, arial;font-family:var(--mermaid-font-family);fi

三极管（BJT，Bipolar Junction Transistor）和 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是两种不同类型的晶体管，它们在工作原理、性能特性和应用方面有一些重要的区别。 结构和工作原理： 三极管 三极管： 三极管有三个区域：发射极（Emitter）、基极（Base）、集电极（

一、 什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写，称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。 场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成了漏极电流。只涉及 到一种载流子的漂移作用，所以也叫单极性晶体管。 FET有三个电极分别是栅极（ Gate ）、源极（ Source ）和漏极（ Drain

场效应管 MOS场效应管增强型场效应管增强型NMOS输出特性曲线增强型NMOS管转移特性曲线MOS场效应管衬底调制效应PMOS场效应管 耗尽型场效应管 结型场效应管场效应管的放大电路场效应管直流偏置电路 MOS场效应管 增强型场效应管 N沟道增强型MOS管的结构基本工作原理: 与晶体管不同的是, NMOS管多了一个衬底B, 在场效应管正常应用时, 漏极D, 源极S与衬底

金属- 氧化物- 半导体（MOS ）场效应三极管MOSFET 基本共源极放大电路图解分析法小信号模型分析法共漏极和共栅极放大电路 1. 金属- 氧化物- 半导体（MOS ）场效应三极管 场效应管是一种具有放大作用的元件,它是构成放大电路的基本器件,并且是一种三段器件,所以有时候也称为场效应三极管 在一块掺杂浓度较低的P型半导体基片上的两个区域掺入高浓度的五价杂质元素,形成两个杂质浓度很高的N

随着便携式电子产品的兴盛，人们的生活发生看翻天覆地的变化，然而这一切都与电子元器件行业的两位领军人物有着不可分割的关系，那就是三极管与场效应晶体管，他们深受电子行业的钟爱，三极管(BJT)和场效应晶体管(FET)都有信号放大的作用，也都有3个管脚，且封装大小两者都类似，然而这么如此相似的两种管，无论是材质组成、工作原理、使用方式，它们都不一样，但是究竟两者之间有何区别，到底谁才可以被称为电子行业真

一.  场效应管的分类 二.  增强型：  = 0时， 沟道不存在。 耗尽型： = 0时，沟道已经存在。 特别说明， 场效应管 与 三极管的极，有对应关系 栅级  对应  基极 漏极  对应  集电极 源极  对应  发射极 三.  JFET :  结型场效应管，  J 指结型 MOSFET：  绝缘栅型场效应管。 MOSFET又分为两种： EMOS(增强型)、