**案例分享:**统计线路中某一器件的个数 如,统计SplitterTree中mmi的个数: 所有代码如下: # Copyright (C) 2020 Luceda Photonicsfrom si_fab import all as pdkfrom ipkiss3 import all as i3class GeneralizedSplitterTree(i3.Circuit):spli
ipkiss 3.12版加入write_obj函数,可以直接输出器件的三维模型。 如,输出自定义的mmi的三维模型: 代码如下: from si_fab import all as pdkfrom ipkiss3 import all as i3class MMI1x2(i3.PCell):"""MMI with 1 input and 2 outputs."""_name_prefix
I. 引言(INTRODUCTION) 宽带隙(WBG)器件的重要性: 引言部分首先强调了宽带隙(WBG)器件在高频、高效率电力电子技术中的关键作用。这些器件,包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),相较于传统的硅功率器件,具有显著的优势。宽带隙半导体材料的高击穿场强允许设计更薄的漂移区,从而优化器件的特定导通电阻(Rds,on)。此外,GaN的高电子迁移率进一步降低了导通电阻,使得器件