来源:Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si(TMTT 23年) 摘要 该文章提出了一种针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)的准物理等效电路模型,旨在模拟基板中的射频
来源于论文 《Predicting and characterizing a cancer dependency map oftumors with deep learning》 代码地址:Code Ocean 大家好呀!今天给大家介绍一篇2021年发表在Science Advances上的文章。 全基因组功能缺失筛查揭示了对癌细胞增殖十分重要的基因,称为肿瘤依赖性。 然而将肿瘤依赖性关