计算机技术发展到今天，CPU和内存性能早已不是性能瓶颈，但是硬盘依然是电脑常见瓶颈！ 固态硬盘的出现极大的改善机械硬盘的存储效率，但是因为固态硬盘还处于行业发展初期，所以成本很高，为了解决成本高的难题，厂商推出了很多改进方法，通过技术研发“偷工减料”降低成本不失为一种好方法！ 闪存颗粒最早只有SLC技术颗粒；为了降低成本，厂商研发出了MLC颗粒；为了进一步降低成本，厂商研发出了TLC颗

转自：https://blog.csdn.net/qq_39560607/article/details/81714145 版权声明：请注明转载自Christa_RJ https://blog.csdn.net/qq_39560607/article/details/81714145NAND-Flash 的存储原理　　固态硬盘最小单元的基本架构如下：   　　我们知道计算机中所有的信息储存最终

NAND Flash底层原理，SLC MLC TLC比较 NAND-Flash 的存储原理 　　固态硬盘最小单元的基本架构如下：  　　我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1，原则上，只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态，便可以拿来纪录数据。 （1）写入数据 　　在 NAND-Flash 中，当我们需要写入数据时，会在图中的控制闸（Control Gate）施加

依公知及经验整理，原创保护，禁止转载。 专栏 《深入理解NAND Flash》 <<<< 返回总目录 <<<< 前言 闪存最小物理单位是 Cell, 一个Cell 是一个晶体管。 闪存是通过晶体管储存电子来表示信息的。在晶体管上加入了浮动栅贮存电子。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1. 根据闪存颗粒区分，存储器有 SLC、MLC、TLC、

依公知及经验整理，原创保护，禁止转载。 专栏 《深入理解NAND Flash》 <<<< 返回总目录 <<<< 前言 1 闪存芯片简介 闪存颗粒是固态硬盘中数据的真实存储地，就像机械硬盘的磁盘一样。 闪存颗粒flash memory是一种存储介质，重要的区别于传统机械盘存储介质就是它是一种非易失性存储器，就是断电可以保存写入的数据，以固定大小的区块为单位，不是以单个的字节为单位。

1.1 设备是一款基于CAT1通信的电子产品，在做CE传导骚扰时低频超标异常 1.1.1 从上面测试数据图看，低于3MHz明显已超标。 1.2 什么是CE传导骚扰 电子设备一般主要测试150K~30MHz这个频段的骚扰大小。它是对设备电源线、信号线等产生的一些杂波对外辐射出来，从而超出了规定的限值，影响了其它设备的工作。 1.3 具体分析及处理： 根据实验室反馈的的数据图，结构设备电源方

了解NAND闪存三种架构芯片的区别，对于专业人士或需要购买SSD的非专业人士来讲，都有不小的益处。其区别如下：      SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。其在企业级SSD上比较常见，例如经典的Intel X25-E系列，此外在一些高端的

声明 主页： 元存储的博客_CSDN博客 依公开知识及经验整理，如有误请留言。 个人辛苦整理，付费内容，禁止转载。 内容摘要 前言 1 闪存芯片简介 2 颗粒类型 2.1闪存密度分类 2.2 SLC、MLC、eMLC和TLC如何选择？ 2.3 如何在电商网站查看SSD 闪存类型 2.4 为什么TLC的性能在三种介质中最差？ 3 2D NAND VS 3D NAND 4 颗粒等级 前言