NAND闪存SLC、MLC、TLC架构的区别

本文主要是介绍NAND闪存SLC、MLC、TLC架构的区别，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

     了解NAND闪存三种架构芯片的区别，对于专业人士或需要购买SSD的非专业人士来讲，都有不小的益处。其区别如下：

     SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。其在企业级SSD上比较常见，例如经典的Intel X25-E系列，此外在一些高端的U盘上也有使用。

    MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四个充电至，因此要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。如今大多数的消费机SSD都是使用的MLC。

    TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，也有Flash厂家叫8LC，最大特点就是速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。，通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。

    目前，QLC = Quad-Level Cell架构以及出现，即4bit/cell，支持16充电值，速度最慢寿命最短，目前中技术上在研发阶段，但是intel、三星电子等厂商都已经取得了不错的进展。但在SSD应用中目前仍不现实 。

（文章引自http://stor.zol.com.cn/349/3499784.html）

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