本文主要是介绍[NAND Flash 5.1] 闪存芯片物理结构与SLC/MLC/TLC/QLC，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
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专栏 《深入理解NAND Flash》
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前言
1 闪存芯片简介
闪存颗粒是固态硬盘中数据的真实存储地，就像机械硬盘的磁盘一样。
闪存颗粒flash memory是一种存储介质，重要的区别于传统机械盘存储介质就是它是一种非易失性存储器，就是断电可以保存写入的数据，以固定大小的区块为单位，不是以单个的字节为单位。
2 颗粒类型
市面上常见的固态硬盘SSD闪存芯片颗粒类型分为四种：SLC、MLC、TLC、QLC 。
闪存颗粒有很多种类，现如今在固态硬盘中，最最常使用的现在最火热的就是NAND Flash memory 。因为它具有功耗低、价格低、性能佳的优点，在存储行业中，是最重要的存储原料。这些原料材料不好，研究啥都白扯，啥CPU控制也没用了。得材料着得天下。
2.1 闪存密度分类
SLC (单层存储单元)
MLC (双层存单元)
TLC (三层存储单元)
QLC (四层存储单元）
PLC (五层存储单元)
由于技术的发展，主流闪存颗粒类型为3D TLC NAND 闪存。相较MLC，3D TLC与以前相比
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